SK海力士，无锡工厂升级1a工艺

目前无锡工厂的DRAM月产能约为18万至19万片12英寸晶圆，其中约90%已完成向1a制程的转换。

存储巨头SK海力士已顺利完成其中国无锡工厂的制程升级，将DRAM生产节点从原有的1z工艺全面转向更先进的1a工艺。目前，无锡工厂的DRAM月产能约为18万至19万片12英寸晶圆，其中约90%已完成向1a制程的转换。在DRAM工艺中，1z代表10纳米级别第三代制程，1a则属于第四代。

更先进的制程意味着更高的性能、更低的功耗以及每片晶圆可产出更多芯片，此次升级使SK海力士在无锡得以生产性能显著提升的DRAM产品。

无锡工厂的升级备受关注，主要因其在全球供应链中占据关键地位——该厂贡献了SK海力士全球DRAM产量的30%至40%，是公司核心的生产基地。此前市场曾担忧，美国半导体设备出口管制可能影响无锡厂获取先进设备，进而阻碍其技术升级并冲击全球供应。目前来看，这一风险已得到有效管控。

值得注意的是，1a DRAM制程需使用极紫外（EUV）光刻设备，而此类设备受美国管制无法直接对华出口。为此，SK海力士采取了“分段制造”策略：将EUV光刻这一关键步骤安排在韩国进行，随后把晶圆运回无锡完成后续工序。尽管该方案增加了流程复杂性与成本，但鉴于无锡厂的战略重要性，公司仍坚定推进了制程迁移。

自2006年投产以来，SK海力士在无锡工厂累计投入已达数十万亿韩元。与此同时，在韩国本土，公司正加速向更先进的1c（第六代10纳米级）制程迈进，相关生产主要集中在利川的M14和M16工厂。

通过这一布局，无锡工厂承担大规模、成熟制程的DRAM生产，韩国工厂则聚焦于最先进的DRAM及HBM等高端产品，从而在符合地缘政策要求的同时，保持技术领先地位。

据业内人士12月30日透露，美国商务部工业与安全局（BIS）已更改政策，取消韩国半导体公司中国工厂的“最终用户认证（VEU）”资格，允许其每年出口设备。

回溯其历史，美国商务部自2022年起对美制半导体设备出口中国实施严格管制，但当时给予三星、SK海力士及英特尔豁免，允许它们维持在华现有工厂的运作。根据最新规定，这些公司今后如要在中国采购相关设备，必须逐案申请出口许可证。

随后在去年8月，美国商务部发布通知，宣布将撤销韩国芯片制造商三星和SK海力士在其中国工厂使用美国设备的豁免，这将使两家公司更难在中国生产芯片。限制措施将在120天后生效。美国商务部在一份声明中称，美国计划向相关企业发放许可证，允许其继续在华运营现有的设施，但不打算发放扩大产能或升级技术的许可，从而取消“只对外国生产商有利、却没有给美国制造商带来类似好处的宽松做法”。

根据市场追踪机构Gartner的数据，全球前五大半导体设备公司占整个市场的70%以上的设备，大多为美国制造。此举将使韩国两大存储芯片制造商在中国的运营难度大增，限制措施也冲击到美国半导体设备供应商，包括科磊（KLA Corp）、科林研发（Lam Research）和应用材料（Applied Materials）。

韩国《中央日报》报道称，根据三星发布的公司治理报告，该公司去年向中国半导体工厂添加了总价值3400 万美元的设备。其中包括2100万美元用于其位于苏州的封装工厂和1300万美元用于其位于西安的 NAND 闪存生产设施。同样在中国生产 DRAM 芯片的SK 海力士的投资甚至更大。该公司去年将价值8300 万美元的设备转移到其位于无锡的 DRAM 工厂、位于重庆的封装工厂以及从英特尔手中收购的位于大连的 NAND 闪存工厂。仅在3月份，就有价值3200万美元的设备从韩国运往无锡晶圆厂。两家公司都以“生产效率”为转移设备的原因。

SK海力士在一份声明中表示，“将与韩国和美国政府保持密切沟通，并采取必要措施，尽量减少对我们业务的影响”。

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