北京
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有投资者在互动平台向捷捷微电提问：“董秘你好，2026年1月，西电郝跃院士、张进成教授团队在《自然·通讯》和《科学进展》发表突破性成果，首创‘离子注入诱导成核’技术，解决了第三代半导体散热核心痛点，将半导体热阻降至原来的1/3，这一突破直接利好捷捷微电的氮化镓器件产业化进程，公司和西安电子科技大学郝跃院士团队的合作还在进行吗谢谢。”
针对上述提问，捷捷微电回应称：“尊敬的投资者,您好!感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。谢谢!”
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：公告君
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