1月19日,富采宣布,与德国半导体厂商ALLOS Semiconductors(以下简称“ALLOS ”)达成策略合作,双方将共同推动8英寸硅基氮化镓LED外延片(GaN-on-Si LED epitaxial wafer)的量产,加速Micro LED在AR及其他高整合度显示器应用领域的发展。
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图片来源:富采
根据合作协议,双方将结合富采在LED结构方面的技术积累与ALLOS在硅基氮化镓缓冲结构方面的技术优势,共同开发硅基氮化镓LED外延片。
据介绍,该产品的亮度与能效表现有望媲美传统蓝宝石基板生长的氮化镓LED,同时通过将晶圆尺英寸扩大至8英寸以上,能够显著提升单片产出面积与制程效率。此外,该技术具备超小像素间距,能够满足近眼显示设备的高解析度需求,并与现有的硅晶圆制程保持高度兼容性。
富采光电元件事业本部总经理唐修穆表示,此次合作将有助于建立可扩展且与硅晶圆厂制程兼容的量产途径,双方将同步布局8英寸硅基氮化镓Micro LED外延技术,为Micro LED产业提供更完整的价值链解决方案。
ALLOS联合创始人兼首席执行官Burkhard Slischka则指出,双方的合作将致力于提供高质量、具扩展性的外延片供应,在提升LED效率的同时,优化Micro LED外延制程及芯片对接制程的良率。
此外,本次合作也被视为向12英寸硅基氮化镓LED外延技术迈进的铺垫,以应对市场对更大尺寸晶圆的需求。据悉,ALLOS自2020年起已展示过12英寸量产能力,未来双方将持续合作以优化相关技术,共同拓展Micro LED的应用前景。
技术突破、量产推进、战略合作,富采Micro LED布局加速
近年,富采在Micro LED领域的布局呈现加速态势,技术突破、量产推进与战略合作多维并进。
技术方面,2025年3月,富采实现Micro LED技术突破,其中,红光芯片效能大幅提高了90%,蓝绿光芯片也取得了10%至15%的优化;其次芯片尺寸成功缩小40%。富采的巨量转移良率也显著提高,已达到终端客户的严苛标准,为商业化生产扫清了关键障碍。
同期,富采基于i-Pixel®系列推出了高度集成的芯片级封装方案,支持3D封装技术,进一步实现了更高亮度与更低功耗的技术目标。
进入2025年8月,富采的Micro LED产品正式迈入试量产阶段。公司确认相关产品已陆续导入终端应用,主要应用于透明显示器领域,并开始对营收产生实质性贡献。
为应对市场需求,富采此前计划在2025年内扩大Micro LED产能,同时携手錼创科技共同扩增产量。公司管理层表示,Micro LED业务在明后年(2026至2027年)的贡献将更为显著,团队正积极送样以争取更多新项目。
在组织战略层面,富采于2025年10月完成了一项重要整合,将旗下晶元光电与隆达电子合并为单一子公司"富采光电"。此次合并旨在聚焦Micro LED等高附加值领域,通过整合上下游资源加速技术商业化进程,强化整体竞争力。
在应用市场拓展方面,富采在车用与AI光通讯两大领域布局尤为积极。车用市场方面,公司已与多家国际车厂及Tier 1供应商建立合作,切入车载显示、透明抬头显示器、自适应远光灯(ADB)等应用场景。
AI光通讯领域,富采与多家云端服务供应商(CSP)及GPU大厂签订Micro LED光互连模块开发协议,该技术应用于10米内高速光通信,被视为AI服务器性价比最优的解决方案之一。
目前,富采Micro LED技术已从技术研发阶段成功过渡到试量产快车道,通过技术突破、供应链协作与应用场景拓展的三重驱动,重点布局车用和AI光通讯等高成长性市场。
预计,随着本次8英寸硅基氮化镓LED外延片量产合作的推进,富采的Micro LED业务将加快进入实质性营收贡献期。
文:LEDinside Irving
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