北京
国家知识产权局信息显示，渴创技术（深圳）有限公司取得一项名为“一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构”的专利，授权公告号CN223809053U，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构，涉及健身器械领域，解决了传统缓冲材料老化、磨损及性能不稳定的问题，包括键盘外壳、PCB板和磁铁组件，所述键盘外壳内底部上方设置有PCB板，磁铁组件包括若干组磁铁，每组磁铁数量为两个，两个磁铁位于竖直方向平行设置，两个磁铁分别固定安装在键盘外壳内底部和PCB板上，两个磁铁相邻侧面磁极为同极；PCB板两侧底部均通过定位结构与键盘外壳内底部连接，性能稳定，磁铁不存在物理接触，避免了传统机械磨损问题；寿命更长：高性能钕磁铁具备优异的抗退磁能力，缓冲性能长时间稳定；结构简化：通过设计固定的磁铁固定套，避免复杂调节机构，降低制造和维护成本。
天眼查资料显示，渴创技术（深圳）有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，渴创技术（深圳）有限公司财产线索方面有商标信息5条，专利信息68条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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