国家知识产权局信息显示,渴创技术(深圳)有限公司取得一项名为“一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构”的专利,授权公告号CN223809053U,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,本实用新型公开了一种基于磁铁同极相斥的键盘固定缓冲结构,涉及健身器械领域,解决了传统缓冲材料老化、磨损及性能不稳定的问题,包括键盘外壳、PCB板和磁铁组件,所述键盘外壳内底部上方设置有PCB板,磁铁组件包括若干组磁铁,每组磁铁数量为两个,两个磁铁位于竖直方向平行设置,两个磁铁分别固定安装在键盘外壳内底部和PCB板上,两个磁铁相邻侧面磁极为同极;PCB板两侧底部均通过定位结构与键盘外壳内底部连接,性能稳定,磁铁不存在物理接触,避免了传统机械磨损问题;寿命更长:高性能钕磁铁具备优异的抗退磁能力,缓冲性能长时间稳定;结构简化:通过设计固定的磁铁固定套,避免复杂调节机构,降低制造和维护成本。
天眼查资料显示,渴创技术(深圳)有限公司,成立于2020年,位于深圳市,是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,渴创技术(深圳)有限公司财产线索方面有商标信息5条,专利信息68条,此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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