北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“NORD闪存的版图结构”的专利，公开号CN121331183A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种NORD闪存的版图结构，包括：多行间隔设置的字线，字线通过接触孔连接第一金属层；多行间隔的第一控制线和多行间隔的第二控制线，每行字线对应一行第一控制线和一行第二控制线，每行字线的一侧为第一控制线，另一侧为第二控制线；每相邻两行字线之间的第一控制线和第二控制线通过位于第一金属层连通，第一金属层通过通孔连接第二金属层。本发明将每相邻两行字线之间的第一控制线和第二控制线通过第一金属层，第一控制线和第二控制线以及字线均通过接触孔连接第一金属层，第一金属层再通通孔连接第二金属层。本发明只使用了第一金属层和第二金属层这两层金属层，减少了后段金属层的数量。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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