北京
国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“半导体预清洗方法和半导体预清洗装置”的专利，公开号CN121335439A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体预清洗方法，涉及半导体加工技术领域，以解决硅钛界面中氟残余量较大的问题。半导体预清洗方法用于清除晶片的硅层或锗硅层表面氧化层；方法包括：刻蚀步，提供含氟刻蚀剂，使含氟刻蚀剂与表面氧化层反应生成固态副产物；固态副产物包括氟硅酸盐；退火步，调节晶片的表面温度，将氟硅酸盐分解形成气态副产物并被排出；气态副产物包括氟硅化合物；除氟步：提供中性氢原子或中性含氢自由基，使中性氢原子或中性含氢自由基与氟硅化合物反应生成氟化氢并被排出。其可以减少硅钛界面中氟残余量。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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