北京
国家知识产权局信息显示，中山德华芯片技术有限公司申请一项名为“一种InGaAs单光子雪崩探测器及其制备方法”的专利，公开号CN121335232A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种InGaAs单光子雪崩探测器及其制备方法，该单光子雪崩探测器包括从下至上生长的InP衬底、InP的buffer缓冲层、i‑InGaAs吸收层、i‑InP电荷层、p‑InP倍增层、p‑InGaAs接触层以及金属电极；其中，所述i‑InGaAs吸收层与所述i‑InP电荷层之间设有超晶格结构，所述超晶格结构由InP层和InGaAs层交替生长形成。本发明通过引入超晶格结构，能够有效降低暗计数率，提升探测器的信噪比和综合性能。
天眼查资料显示，中山德华芯片技术有限公司，成立于2015年，位于中山市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本9432万人民币。通过天眼查大数据分析，中山德华芯片技术有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息186条，此外企业还拥有行政许可36个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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