北京
国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121335521A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请公开一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该深沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供衬底；刻蚀衬底，形成具有第一深度的深沟槽；在深沟槽内填充隔离材料；刻蚀隔离材料外周的衬底，形成具有第二深度的环状槽，第二深度小于第一深度；填充应力材料至环状槽，形成环状部，衬底的晶格常数小于应力材料的晶格常数，以使环状部具有朝向中心的应力；对形成有环状部和隔离材料的衬底进行快速热退火处理，形成深沟槽隔离结构。该深沟槽隔离结构能够提高深沟槽隔离结构的表面形态，降低生产难度。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目48次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息191条，此外企业还拥有行政许可180个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
