北京
国家知识产权局信息显示，深圳天狼芯半导体有限公司申请一项名为“超结MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121310583A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请涉及一种超结MOSFET器件，包括：第一柱结构和第二柱结构，位于衬底的同一侧，且在平行于衬底的表面的同一个方向上依次排列；第一柱结构与第二柱结构的相对的表面相接触，第一柱结构与第二柱结构的掺杂类型不同；多个岛结构，均与第一柱结构位于衬底的同一侧，且均位于第一柱结构远离第二柱结构的一侧；在垂直于衬底的表面的方向上，多个岛结构依次排列，且相邻的两个岛结构的相对的表面相接触，相邻的两个岛结构的掺杂类型不同；其中，岛结构与第一柱结构的相对的表面相接触；阱结构；栅极多晶硅层；由于空穴的前后两次恢复，延长了电流衰减时间，实现了软恢复，抑制了EMI振荡。
天眼查资料显示，深圳天狼芯半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本701.31107万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳天狼芯半导体有限公司共对外投资了5家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息206条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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