北京
国家知识产权局信息显示，四川科尔威光电科技有限公司;坤元晶科半导体（德阳）有限公司申请一项名为“一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统”的专利，公开号CN121306897A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统，属于集成电路制造领域，包括顺次排列的临近放电室放电出口侧的栅网、…第N中间栅网和临近干刻部件侧的栅网，每一栅网包括基板，基板上均匀分布有若干栅网孔，基板的外表面设置有第一低表面能及溅射产率低的膜层，每一栅网孔的内壁设置有第二低表面能及溅射产率低的膜层；N为大于等于0的整数。本发明可以延缓栅网损耗及延缓栅网表面的吸附污染。
天眼查资料显示，四川科尔威光电科技有限公司，成立于2015年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3586.5429万人民币。通过天眼查大数据分析，四川科尔威光电科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息70条，此外企业还拥有行政许可13个。
坤元晶科半导体（德阳）有限公司，成立于2025年，位于德阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，坤元晶科半导体（德阳）有限公司拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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