北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“深沟槽隔离结构的形成方法”的专利，公开号CN121310989A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种深沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供SOI，SOI包括依次沿着第一方向堆叠设置的底层硅、埋氧层和顶层硅；在顶层硅的表面形成图案化的硬掩膜层；在顶层硅内形成多个沿着第二方向间隔设置的第一深沟槽和多个沿着第二方向间隔设置的硅柱，相邻第一深沟槽通过硅柱隔开；氧化多个硅柱形成氧化物柱体，氧化硅柱体之间形成有第二深沟槽；去除图案化的硬掩膜层；向第二深沟槽填充氧化物，以形成深沟槽隔离结构。本发明减少了沉积氧化物的次数和研磨次数，从而减少了填充设备、研磨设备和研磨液的消耗。并且减少了研磨对顶层硅表面产生的不良影响。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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