北京
分享至
国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种GaN功率器件”的专利，公开号CN121285000A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种GaN功率器件，由下至上依次包括：衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层以及外延生长的GaN功率器件和温度传感器；在所述的温度传感器与GaN功率器件之间还设有中间隔离带。通过本公开实施例的方案，能够优化器件的温度特性，有利于提高器件的可靠性。
天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司专利信息11条，此外企业还拥有行政许可1个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
