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来源：环球网
【环球网科技综合报道】1月8日消息，据Investing报道，全球存储巨头美光科技（Micron）近日宣布，其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的大型 DRAM 内存晶圆厂集群项目，将于当地时间 2026 年 1 月 16 日正式破土动工。该项目总投资高达 1000 亿美元，创下纽约州有史以来单笔私人投资的最大规模纪录。
作为全球半导体产业的重要布局，美光此次投建的晶圆厂集群聚焦 DRAM 内存核心产能。DRAM 内存作为计算机、服务器、智能手机等各类电子设备的关键核心部件，市场需求持续旺盛。美光方面表示，新项目将采用业界领先的制造工艺，打造高度集成化、智能化的生产体系，旨在进一步提升全球内存供应的稳定性与技术迭代速度。
据了解，项目完工后，克莱镇晶圆厂集群将具备大规模、高精度的 DRAM 内存生产能力。目前，项目前期筹备工作已全面就绪，各项配套设施建设正稳步推进。（纯钧）
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