总投资1000亿美元，美光纽约州巨型晶圆厂动工

当地时间2026年1月7日下午，美国存储芯片大厂美光科技宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。经过严格的环境评估和必要的许可证审批后，美光现已准备就绪，即将开始场地平整和建设工作。

该项目是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，并有助于满足现代经济核心——人工智能系统日益增长的需求。该项目最多可建四个晶圆厂，建成后将成为美国最大的半导体工厂。

根据美光的计划，其将在美国的存储制造投资扩大到约 1500 亿美元，包括：在爱达荷州博伊西建造第二家领先的内存工厂；扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有制造工厂并对其进行现代化改造；位于纽约的多达四家领先的大批量晶圆厂；并将先进的HBM封装能力引入美国，以实现对 AI 市场至关重要的高带宽内存 （HBM） 的长期增长。此外，美光宣布计划投资 500 亿美元提升美国国内存储芯片技术研发，再次巩固其作为全球内存技术领导者的长期地位。这些投资额也旨在使美光能够满足预期的市场需求，保持美光的市场份额，并支持美光在美国生产 40% 的 DRAM 的目标。

美光的纽约州晶圆厂计划涉及四个晶圆厂阶段，洁净室面积约为 600,000 平方英尺（约 55,700 平方米），总投资将达耗资1000亿美元。该工厂是美光长期战略努力的一部分，旨在建立强大的美国国内制造足迹，以支持商业和国家计算需求。

美光科技董事长、总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra) 及其他高管将与特朗普政府、国会、纽约州和地方政府官员，以及杰出的商界领袖和社区成员共同庆祝这一重大里程碑。奠基仪式结束后，将在雪城大学国家退伍军人资源中心举行庆祝活动，届时高管和官员将发表讲话。

“美光纽约巨型晶圆厂的破土动工对美光和美国来说都是一个关键时刻，”美光科技董事长、总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra) 表示。“我要感谢特朗普总统、卢特尼克部长、泽尔丁署长、霍楚州长、舒默参议员、曼尼恩众议员、特尼众议员、麦克马洪县行政长官以及我们在政府和国会的所有合作伙伴，感谢他们为实现这一里程碑所做出的领导和贡献。随着全球经济迈入人工智能时代，先进半导体领域的领先地位将成为创新和经济繁荣的基石。我们的投资和进展巩固了我们作为美国唯一一家存储器制造商的地位。”

编辑：芯智讯-浪客剑