北京
国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种复合光刻工艺”的专利，公开号CN121276888A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种复合光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供一基底，所述基底表面具有凹形结构；S2.在所述凹形结构内填充第一底部抗反射涂层，并进行平坦化处理；S3.在填充完所述第一底部抗反射涂层后，接着涂覆第二底部抗反射涂层；S4.在所述第二底部抗反射涂层上涂覆光刻胶层，并在光刻机中进行曝光；S5.显影后形成所需的光刻图形。通过复合使用两层不同曝光波长对应的抗反射涂层，在深沟槽光刻过程中实现了光刻胶层的均匀曝光，有效减少了因抗反射涂层不均匀而产生的箭影问题，从而显著提升了图形的边缘清晰度和整体质量。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目484次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息816条，此外企业还拥有行政许可46个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
