北京
国家知识产权局信息显示，苏州达晶半导体有限公司取得一项名为“低损耗功率MOS器件”的专利，授权公告号CN223772420U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种低损耗功率MOS器件，包括：位于硅片上部的P型基极区和位于硅片下部的重掺杂N型漏极区，P型基极区和重掺杂N型漏极区之间设置有N型外延区；栅极部的中部具有一外凸部，在竖直方向上所述外凸部的上端面位于重掺杂N型源极区下表面与P型基极区下表面之间，所述外凸部的下端面位于P型基极区的下方；重掺杂N型源极区远离第一沟槽的一侧具有一第二沟槽，此第二沟槽由P型基极区上表面延伸至N型外延区内，所述第二沟槽内填充有所述上金属层。本实用新型低损耗功率MOS器件既降低了MOS器件在高频开启和截至切换的使用状态下的功率损耗，也有利于显著降低MOS器件正向导通时电阻，从而降低了器件正常工作时候的损耗。
天眼查资料显示，苏州达晶半导体有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本610万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州达晶半导体有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可5个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
