北京
国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“半导体器件及半导体器件的终端结构的制备方法”的专利，公开号CN121285011A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及半导体器件的终端结构的制备方法。半导体器件包括有源区和位于有源区外围的终端结构，终端结构包括：半导体基区，半导体基区具有第一表面；半导体层，半导体层位于第一表面上，在第一方向上半导体层具有相对的第一端面和第二端面，第一端面位于第二端面远离有源区的一侧，第一端面与第一表面之间具有夹角，夹角为锐角，第一方向为终端结构指向有源区的方向，半导体层和半导体基区的掺杂类型相反，且半导体层中具有沿第二方向贯穿半导体层至第一表面的连通部，第二方向垂直于第一表面；电介质层，电介质层位于半导体基区设置有半导体层的一侧，电介质层的材料填充连通部且材料为低介电常数物质。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目30次，专利信息207条，此外企业还拥有行政许可107个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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