DRAM价格，还要涨！

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行业预估数据显示，由于云服务提供商（CSP）在人工智能基础设施领域的投入持续高企，动态随机存取存储器（DRAM）与闪存（NAND flash）的供应增长始终无法跟上需求扩张的步伐，2026 年全年全球内存市场预计将持续处于供不应求的紧张状态，进而推动产品价格走高。

此番市场前景的预测，源于内存制造商们跌宕起伏的 2025 年。这一年，厂商们年初还在应对地缘政治不确定性带来的冲击，以及库存过剩的遗留问题，到了下半年，市场供需格局却骤然收紧。分析师认为，随着人工智能服务器占据行业产能的比例不断攀升，供应商纷纷将产能向利润率更高的产品倾斜，这种供需失衡的状态还将持续。

行业预估显示，2026 年 DRAM 的位元供应量增幅约为 15% 至 20%，而需求增速预计将更快，达到 20% 至 25% 左右。NAND 闪存市场也呈现出类似的态势，其位元供应量增幅为 13% 至 18%，相比之下，需求增幅则达到 18% 至 23%。

这一供需缺口在服务器应用领域表现得最为突出。分析师预计，在各大云平台持续加大人工智能训练与推理业务投入的驱动下，2026 年服务器领域的 DRAM 和 NAND 闪存消耗量将同比激增 40% 至 50%。

DDR4 逐步退市，加剧传统产品供应压力

传统 DRAM 产线的快速减产，已成为引发内存短缺的核心因素。头部供应商正加速淘汰 DDR4 相关产线，将晶圆产能重新分配给更新型、利润率更高的产品。业内消息称，到 2026 年下半年，三星电子和 SK 海力士的 DDR4 晶圆开工占比预计将降至个位数低位，这将导致 DDR4 的市场供应量大幅缩减。

产能收缩直接推动 DDR4 价格强势反弹。尽管部分领域正逐步向 DDR5 平台过渡，但 2025 年第四季度，DDR4 与 DDR5 的现货价差进一步拉大，这也印证了市场对 DDR4 这一老规格产品的需求仍在持续。市场从业者预估，2026 年 DDR4 的供应量将持续比需求量短缺约 10%，这一局面将支撑其价格在至少 2026 年下半年之前保持高位运行。

中国台湾地区的内存供应商已从这一市场变化中获益。南亚科技进一步巩固了其全球最大 DDR4 供应商的地位，华邦电子则增加资本支出，扩大产能规模。据业内消息透露，华邦电子计划将其高雄工厂的月产能从约 1.4 万片晶圆，提升至 2.4 万至 2.5 万片。

高带宽内存（HBM）挤占 DDR5 产能

随着高带宽内存（HBM）在高端产能中的占比不断提升，内存供应压力正进一步加剧。行业预估显示，SK 海力士、美光科技以及三星电子的 HBM3E 产能已基本被预订一空。目前 SK 海力士的 HBM4 产品已通过客户验证，业内预计其他竞争对手也将迅速跟进布局 HBM4，这将进一步挤压标准 DDR5 的产能空间。

与此同时，人工智能服务器与新一代中央处理器（CPU）平台正逐步采用更大容量的 DDR5 RDIMM 内存配置，这也促使供应商将更多精力集中在企业级与人工智能相关的产品上。市场预估数据显示，三星 64GB DDR5 RDIMM 内存的合约价已从 2025 年第三季度的约 265 美元，上涨至第四季度的约 450 美元，到 2026 年第一季度，其价格或将逼近 480 美元，后续仍存在继续上涨的可能性。

分析师指出，不含 HBM 在内，传统 DRAM 产品的价格在 2025 年第四季度上涨了近 50% 甚至更高。这一涨价势头预计将延续至 2026 年上半年，而从供需缺口的规模来看，即便到 2026 年下半年，产品价格的回落空间也十分有限。

2026 年，市场对 128GB 及更大容量 DDR5 内存模组，以及采用 LPDDR5X 规格的 SOCAMM2 内存配置的需求，预计将占据 DRAM 产能的更大份额。此外，HBM4 的生产不仅会消耗更多晶圆，还涉及更为复杂的良率管控，这都将进一步加剧内存市场的结构性供应压力。

随着内存制造商纷纷暂停公开报价，并持续上调产品价格，非人工智能领域与消费级市场的采购商正面临采购成本攀升与货源紧缺的双重难题。

NAND 闪存产能扩张难纾供应困境

在 NAND 闪存领域，产能扩张的进程同样受到制约。尽管铠侠与长江存储均在建设新的生产基地，但业内消息称，这些新产能要到 2026 年第二季度才有可能实现可观的产量贡献，短期内难以对市场供应格局产生实质性影响。

人工智能推理业务的爆发，也正在重塑 NAND 闪存的市场需求结构。2025 年，推理相关基础设施的资本投入规模已超过训练业务，预计 2026 年这一投入还将进一步增长，进而推动企业级固态硬盘（SSD）需求快速攀升。北美云服务运营商对 128TB 至 256TB 大容量固态硬盘的需求日益旺盛，这也促使厂商们从三层单元（TLC）NAND 闪存技术，转向四层单元（QLC）技术，以实现成本与存储密度的平衡。

云服务提供商的大规模产能预订，已推动 NAND 闪存价格大幅上涨。市场预估显示，2025 年第四季度 NAND 晶圆价格环比暴涨约 95% 至 100%，部分采购商即便愿意支付更高价格，也依然难以获得稳定货源。分析师预计，NAND 闪存的供应短缺与价格上涨态势将延续至 2026 年，不过价格上涨的节奏或将有所放缓。

内存模组厂商承压，利润率面临考验

紧张的供应形势，正迫使内存模组厂商采取限量出货策略，并优先保障战略客户的订单需求。虽然产品平均售价的走高支撑了营收增长，但原材料成本的持续攀升正不断挤压厂商的利润率，同时也使得厂商之间的货源争夺愈发激烈。

威刚科技表示，2026 年内存模组市场的两极分化态势或将加剧，部分厂商能够获得稳定的芯片供应，而另一些厂商则将持续面临货源短缺的困境。工业级内存供应商宜鼎国际指出，云人工智能业务将成为 2026 年市场的核心增长驱动力，人工智能推理与边缘计算应用的加速落地，或将利好那些已布局人工智能相关产品线的厂商。

主控芯片制造商群联电子透露，公司已在行业淡季期间锁定了部分 2026 年的芯片供应，但这些产能仍无法满足市场需求。群联电子预计，内存市场的供需失衡状态将持续数年，并计划缩减零售市场的出货量，将资源集中投向附加值更高的企业级客户。

分析师提醒，当前市场仍存在诸多风险因素，包括高端内存产品生产过程中的技术落地难题，以及云服务提供商资本支出可能出现的波动。展望 2026 年，在人工智能驱动的强劲需求，以及结构性供应约束的双重作用下，内存市场的定价权仍将牢牢掌握在内存芯片制造商手中。

https://www.digitimes.com/news/a20260102PD222/dram-capacity-growth-ddr4-ddr5-demand-2026.html

（来源：编译自digitimes）

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