北京
国家知识产权局信息显示，山西创芯光电科技有限公司申请一项名为“基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器”的专利，公开号CN121262923A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器，属于红外探测器台面刻蚀领域；该工艺包括以下步骤：在超晶格外延层表面旋涂应力缓冲层，并固化成型；沉积作为刻蚀阻挡层的硬掩膜；沉积无机氧化物；旋涂光刻胶，形成复合图形化顶层，然后经光刻工艺形成台面图形；以台面图形为掩膜，通过反应离子刻蚀转移台面图形至硬掩膜；采用等离子体刻蚀应力缓冲层，直至露出超晶格外延层表面；以三层掩膜为阻挡，采用感应耦合等离子体进行深刻蚀，刻蚀深度5.6~6μm；后处理步骤；本申请的工艺可以在不引入额外污染和显著成本上升的前提下，实现高质量、高深宽比的台面刻蚀，适用于深台面、高深宽比器件的制备。
天眼查资料显示，山西创芯光电科技有限公司，成立于2018年，位于太原市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，山西创芯光电科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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