北京
分享至
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种SiC横向JFET器件”的专利，公开号CN121262865A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种SiC横向JFET器件，包括：N型多晶SiC的衬底；P型多晶SiC的第一外延层，形成在衬底之上；P型SiC的第二外延层，形成在所述第一外延层之上；JFET结构层，形成在所述第二外延层内。本申请解决了传统的P型多晶碳化硅衬底的SiCL‑JFET器件的制造困难的技术问题。
天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息59条，专利信息497条，此外企业还拥有行政许可11个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
