台积电 2026 年技术规划、产能及 CAPEX 相关会议纪要

一、核心预测结论 （一）2026 年 CAPEX 预测

整体资本开支（CAPEX）预计为410-420 亿美元（low400 亿美金区间），其中前端业务占比 75%，封装、光罩、EDA 等后端及配套业务占比 25%，封装业务投入较往年略有增加（约多 10-20 亿美元）。CAPEX 构成中，scanner（光刻设备）相关投入是核心，2nm 相关 scanner 采购金额约 80-90 亿美元，2026 年订单规模略低于 2025 年。

（二）2026 年营收预测

全年营收预计可达1300 亿美元以上，同比增长约 8%-10%（2025 年营收预计 1200 亿美元）。其中 2nm（N2）制程贡献 80-90 亿美元营收，占比约 7%，成为营收增长的核心驱动力之一。

二、各制程技术进展与产能规划 （一）2nm（N2）制程

1. 产能节奏：2025 年底 scanner 产能达 5 万片 / 月，2026 年底 scanner 产能提升至 10 万片 / 月；但实际产能释放存在滞后，2026 年 Q3 财报将体现 5 万片 / 月贡献，年底实际产能约 6 万片 / 月（含部分 1.6nm 产能）。

2. CAPEX 与机台：2026 年新增 5 万片 / 月 scanner 产能，对应 scanner 采购金额 80-90 亿美元；因生产效率提升（首阶段机台效率低需多采购，后续效率优化可减少机台需求），2026 年机台采购量较 2025 年减少约 1/9，无需按同等规模追加机台。

3. 定价：单 wafer ASP 预计为 2.3-2.4 万美元，此前市场传言的 3 万美元定价过高，与实际营收模型不匹配。

1. 技术定位：属于 2nm（N2）家族，与 N2 共用机台和核心工艺，仅新增背面供电网络功能，本质是 N2 的衍生版本（原命名 A18，因规避 Intel 产品名称改为 A16）。

2. 产能与进度：2026 年 Q1 光罩厂启动 A16 制程 wafer 试产，Q3 正式量产；EUV 层数较 2nm 多 1 道（从 21-22 道增至 22-23 道），对应 EUV 需求增加约 5%，但无需额外新增大量机台（可复用 N2 现有设备冗余）。

3. 产能分配：与 N2 共享 5 万片 / 月的 scanner 产能池，根据客户订单灵活分配产能比例。

1. 量产时间：2027 年正式量产，2027 年初启动 CAPEX 投入（机台 move in），2026 年仅支付定金，不计入当年 CAPEX。

2. 技术特点：与 2nm 制程差异较大，属于新一代节点，但台积电通过工艺优化，未大幅增加 EUV 层数和机台复杂度，仅需 1nm 缩微，可复用部分 N2 scanner 设备；计量（metrology）环节复杂度略高于 N2，但 EUV 需求无明显上升。

3. 定价预测：单 wafer ASP 预计约 3 万美元（仅为 2027 年后的初步猜测）。

1. 台湾地区：现有产能稳定在 13-15 万片 / 月，2026 年无新增机台计划，仅维持现有产出规模；18B 厂已完成产能铺设，无额外扩产规划。

2. Arizona 工厂：属于 Phase2 项目，2027 年量产，2026 年仅启动小产能产品验证（非 2-3 万片 / 月的激进目标）；机台可与 4nm（N4）混用，但 3nm 产出需更多机台才能达到同等产能。

3. 市场传言澄清：2026 年无大规模扩产计划，Arizona 工厂 3nm 产能释放需到 2027 年下半年，2026 年仅为验证阶段。

1. 跨制程复用：3nm 与 4nm、2nm 与 1.6nm、1.4nm 与 2nm 的 scanner、DUV、EUV 设备均可部分混用，但产能效率有差异（如 4nm 机台用于 3nm 生产时，产出会减少）。

2. 设备寿命与成本：当前制程迭代趋于保守（“挤牙膏” 式升级），ASML 机台按节点对应型号设计，但台积电通过工艺优化延长设备复用周期，DUV 复用率较高，EUV 仅需少量新增（因层数微调）。

1. 2 万片 / 月新增产能测算：需 6 台 EUV（单台月曝光量 7 万片）、6 台沉浸式 DUV（双层数需求）、4 台 KLA 计量设备，核心设备（EUV+DUV）为 CAPEX 主要构成。

2. 地区定价差异：机台本体价格全球一致（如台湾、美国、日本同型号设备价格无明显差异），仅售后保修服务费用存在地区差异。

3. 采购趋势：2026 年 ASML 对台积电的 scanner 订单较 2025 年平淡，主要因台积电工艺效率提升，减少了机台采购需求。

按 2024 年公布的计划按时推进，但较原始规划（2025-2026 年释放 N2 产能）有所延迟，Phase2（3nm+2nm）产能需到 2027 年下半年才正式释放。

（二）Phase 规划

1. Phase1：以 4nm（N4）为主，已完成机台铺设，用于服务美国本土客户。

2. Phase2A：聚焦 3nm 制程，2026 年启动客户产品验证，2027 年量产。

3. Phase2B：聚焦 2nm（N2）制程，机台可与 3nm 混用，产能规模根据美国客户订单灵活调整（无固定 2.5 万片 / 月满产目标）。

核心服务美国本土客户，需通过客户产品验证后才能释放产能，2026 年重点是完成 3nm/2nm 制程的资格认证，而非大规模量产。

五、CAPEX 与营收增长逻辑 （一）CAPEX 构成变化

2026 年 CAPEX 中，前端制造（75%）占比下降，封装、光罩等后端业务（25%）占比上升，但后端业务整体投入规模仍远低于前端（仅多 10-20 亿美元）。

（二）营收增长驱动

1. 核心驱动：2nm（含 A16）产能释放，贡献 80-90 亿美元新增营收。

2. 其他因素：现有制程（3nm、4nm）定价稳定，客户订单需求平稳，无大幅降价或需求下滑风险。

2027 年 CAPEX 可能因 1.4nm 量产略有上升，但当前订单未确认，暂无法给出具体数值；2026 年后 CAPEX 增长率与 2023-2024 年持平，无大幅增长动力。

六、关键关注要点

1. 成本控制：台积电通过工艺效率优化（减少机台采购）、设备复用（跨制程共用）降低 CAPEX 压力，2026 年无激进投资计划。

2. 进度风险：Arizona 工厂产能释放节奏、1.4nm 制程工艺验证进度需持续跟踪。

3. 市场变量：终端市场需求若超预期，台积电可能在 2026 年中期调整机台采购计划，但当前无明确信号。

4. 设备厂商影响：ASML 2026 年对台积电的订单规模平淡，反映行业整体投资趋于保守。