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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有差异化内部间隔物的全环绕栅极集成电路结构”的专利，公开号CN121240521A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，描述了具有差异化内部间隔物的全环绕栅极集成电路结构。例如，集成电路结构包括在子鳍片结构上方的第一水平纳米线集合。第一栅极结构在第一水平纳米线集合之上。第一水平纳米线集合横向延伸超过第一栅极结构。第一电介质间隔物与第一栅极结构相邻，并且垂直地在第一水平纳米线集合中的相邻纳米线之间。第二水平纳米线集合在第一水平纳米线集合之上。第二栅极结构在第二水平纳米线集合之上。第二水平纳米线集合横向延伸超过第二栅极结构。第二电介质间隔物与第二栅极结构相邻，并且垂直地在第二水平纳米线集合中的相邻纳米线之间。第二电介质间隔物与第一电介质间隔物接触但不与第一电介质间隔物连续。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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