北京
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国家知识产权局信息显示，中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院申请一项名为“SiC MOSFET器件栅介质结构的制作方法及SiC MOSFET器件”的专利，公开号CN121240504A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种SiC MOSFET器件栅介质结构的制作方法及SiC MOSFET器件，方法包括：在SiC衬底表面生成第一介质层，将生成第一介质层的SiC衬底置于含氮气氛中进行界面氮化处理；对界面氮化处理后的SiC衬底进行高温退火处理；采用预设沉积方法，在第一介质层的远离SiC衬底的表面上形成第二介质层；其中，第二介质层的介电常数参数值高于预设参数值；对第一介质层和第二介质层进行热退火处理，退火后的第一介质层和第二介质层共同形成栅介质结构；其中，热退火处理的持续时长小于预设时长。该方式能有效避免栅介质结构可靠性差、界面陷阱密度较高以及栅极击穿电压不足等问题，显著提高器件的寿命与可靠性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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