北京
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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“结晶衬底上方的非晶半导体的固相外延法”的专利，公开号CN121237639A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开涉及结晶衬底上方的非晶半导体的固相外延法。一种半导体装置(200)，其包括：半导体衬底(202)；第一结晶硅层(204)，其位于所述半导体衬底(202)上方；电子组件(206，208)，其延伸到所述第一结晶硅层(204)中；第二结晶硅层(224)，其位于所述电子组件(206，208)和所述第一结晶硅层(204)上方；及分布式氧化硅夹杂层(219)，其位于所述第一结晶硅层(204)与所述第二结晶硅层(224)之间。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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