东微半导申请半导体器件相关专利，栅沟槽下方设n型掺杂区，改善开关栅压震荡

来源：新浪证券-红岸工作室

12月30日消息，国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体超结功率器件”的专利。申请公布号为CN121240495A，申请号为CN202411330233.8，申请公布日期为2025年12月30日，申请日期为2024年9月24日，发明人王鹏飞、缪进征、王睿、袁愿林，专利代理机构北京品源专利代理有限公司，专利代理师孔凡红，分类号H10D30/66、H10D62/10、H10D64/27。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体超结功率器件，包括：n型半导体层；位于所述n型半导体层底部的n型漏区；位于所述n半导体层内的若干个依次排列的p型柱；位于所述n型半导体层的顶部且位于所述p型柱上方的第一p型体区，所述第一p型体区内设有n型源区；相邻的所述第一p型体区之间设有至少一个栅沟槽，所述栅沟槽凹陷在所述n型半导体层内，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅电极；位于所述n型半导体层内且位于所述栅沟槽下方的n型掺杂区。通过在栅沟槽下方形成n型掺杂区，能够使得小漏源电压下的栅漏电容增大，改善超结功率器件在开关时的栅极电压震荡。

东微半导于2008年9月12日成立，2022年2月10日在上海证券交易所上市，注册地及办公地均为江苏省苏州市。它是国内领先的高性能功率半导体厂商，在高压超级结MOSFET等产品上具备较强技术壁垒。

东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及比亚迪概念、机器人概念、充电桩等概念板块。

2025年三季度，东微半导营业收入达9.64亿元，在行业18家公司中排名第10，远低于第一名闻泰科技的297.69亿元和第二名士兰微的97.13亿元，也低于行业平均数33.04亿元和中位数9.73亿元。净利润为4089.69万元，行业排名11，与第一名闻泰科技的15.05亿元和第二名扬杰科技的9.65亿元差距明显，低于行业平均数2.23亿元和中位数6471.38万元。

苏州东微半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种IGBT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510964353.12025-07-14CN120857530A2025-10-28刘伟、林敏之2IGBT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510964367.32025-07-14CN120857531A2025-10-28刘伟、林敏之3半导体器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510451624.32025-04-11CN120282464A2025-07-08刘伟、王鹏飞、陈鑫4一种IGBT器件的制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411371344.32024-09-29CN119230399B2025-03-11刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊5IGBT器件的制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411371340.52024-09-29CN119230398B2025-05-23刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊6IGBT器件的制造方法发明专利授权、公布CN202411371352.82024-09-29CN119230400B2025-10-17刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊7半导体超结功率器件发明专利公布CN202411330233.82024-09-24CN121240495A2025-12-30王鹏飞、缪进征、王睿、袁愿林8一种IGBT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410911946.72024-07-09CN118866946A2024-10-29王鹏飞、林敏之9碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410120811.92024-01-29CN120435042A2025-08-05王鹏飞、范让萱10一种IGBT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311106025.52023-08-30CN119562568A2025-03-04刘磊、王鹏飞11一种IGBT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311105888.02023-08-30CN119562567A2025-03-04刘磊、王鹏飞12碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310715907.52023-06-16CN119153497A2024-12-17王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征13碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310715908.X2023-06-16CN119153498A2024-12-17王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征14碳化硅器件及其制造方法发明专利公布CN202310367493.12023-04-07CN118782646A2024-10-15刘磊、王鹏飞15半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202211651724.32022-12-21CN118231464A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿16半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202211649969.22022-12-21CN118231446A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿17半导体功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202211652272.02022-12-21CN118231465A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿18半导体功率器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211271548.02022-10-18CN117954490A2024-04-30王鹏飞、毛振东、范让萱19半导体超结功率器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211271803.12022-10-18CN117954491A2024-04-30王鹏飞、袁愿林、王睿、刘磊、缪进征20氮化镓器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210960844.52022-08-11CN117637832A2024-03-01王鹏飞、林敏之、刘磊21半导体功率器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210544438.02022-05-18CN117133643A2023-11-28缪进征、王鹏飞、范让萱22氮化镓HEMT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210551950.82022-05-18CN117133794A2023-11-28王鹏飞、林敏之、刘磊23半导体功率器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210539346.32022-05-17CN117116976A2023-11-24王鹏飞、毛振东、范让萱24半导体功率器件的制造方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202210539330.22022-05-17CN117116748A2023-11-24王鹏飞、毛振东、范让萱25IGBT器件的制造方法发明专利授权、公布CN202210367143.02022-04-08CN116936357B2025-10-03刘伟、王鹏飞、刘磊、龚轶26IGBT器件的制造方法发明专利授权、公布CN202210367143.02022-04-08CN116936357B2025-10-03刘伟、王鹏飞、刘磊、龚轶27IGBT器件及其制造方法发明专利授权CN202210366889.X2022-04-08CN116936626B2025-11-28范让萱、缪进征、王鹏飞、刘磊、龚轶28半导体二极管及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210363432.32022-04-07CN116936603A2023-10-24王鹏飞、王睿、林敏之、刘磊、龚轶29半导体功率器件实用新型授权CN202220614408.82022-03-21CN217037151U2022-07-22王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿30碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210280761.12022-03-21CN116825828A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞31碳化硅器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210282247.12022-03-21CN116825621A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞32半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202210281110.42022-03-21CN116825829A2023-09-29王鹏飞、刘磊、袁愿林、王睿33半导体功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202210279749.92022-03-21CN116827322A2023-09-29王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿34碳化硅二极管及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210276766.72022-03-21CN116825803A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞35碳化硅器件终端结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210281170.62022-03-21CN116825804A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞36半导体二极管发明专利实质审查的生效、公布CN202111611956.12021-12-27CN116364748A2023-06-30刘磊、刘伟、袁愿林、王睿37IGBT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202111576883.72021-12-22CN116344573A2023-06-27林敏之、刘伟、刘磊、袁愿林38IGBT器件发明专利授权、公布CN202111561080.42021-12-15CN116264244B2024-12-24刘伟、林敏之、袁愿林、王睿39IGBT器件发明专利授权、公布CN202111534459.62021-12-15CN116264242B2025-09-12林敏之、刘磊、刘伟、袁愿林40半导体功率器件实用新型授权CN202122841877.12021-11-19CN216250731U2022-04-08龚轶、刘磊、刘伟、袁愿林41半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202111359722.22021-11-17CN116137289A2023-05-19刘磊、刘伟、袁愿林、王睿42半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202111359631.92021-11-17CN116137282A2023-05-19刘伟、刘磊、袁愿林、王睿43半导体超结功率器件发明专利授权、公布CN202111359635.72021-11-17CN116137283B2025-09-12刘伟、刘磊、袁愿林、王睿44半导体功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202111170049.82021-10-08CN115966590A2023-04-14刘磊、刘伟、袁愿林、王睿45半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202111128640.72021-09-26CN115881791A2023-03-31刘磊、刘伟、袁愿林、王睿46IGBT功率器件发明专利发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布CN202111129891.72021-09-26CN115881762A2023-03-31林敏之、刘伟、袁愿林、刘磊47半导体功率器件及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202110788277.52021-07-13CN115621313A2023-01-17龚轶、毛振东、徐真逸、刘伟48半导体器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202110525263.42021-05-11CN115332263A2022-11-11龚轶、毛振东、徐真逸、刘磊49半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202110195555.62021-02-19CN114975577B2025-07-29龚轶、刘伟、刘磊、王睿50半导体器件发明专利授权、公布CN202110195555.62021-02-19CN114975577B2025-07-29龚轶、刘伟、刘磊、王睿

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