北京
国家知识产权局信息显示，芯栋微（上海）半导体技术有限公司申请一项名为“硅通孔电镀填铜的方法及其应用”的专利，公开号CN121204765A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种硅通孔电镀填铜的方法及其应用，属于半导体生产工艺技术领域。该方法包括以下步骤：将待电镀的晶圆依次置于至少两个电镀槽中分别进行至少两次电镀，其中，在先进行的电镀所用电流密度小于在后进行的电镀所用电流密度，且在先进行的电镀所用加速剂浓度大于在后进行的电镀所用加速剂浓度。上述方法将传统电镀过程分为至少两个阶段进行，通过调整不同电镀槽中加速剂的用量配合电镀所用电流密度，来改善硅通孔的填充过程，实现自下向上的填充，最终形成无空隙硅通孔填充，可实现缩短每片晶圆电镀时间的功能，从而缩短电镀时间，提高生产效率。
天眼查资料显示，芯栋微（上海）半导体技术有限公司，成立于1999年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本9748.444万人民币。通过天眼查大数据分析，芯栋微（上海）半导体技术有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息148条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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