北京
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“包括等离子体掺杂过程的形成半导体器件的方法”的专利，公开号CN121215513A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，提出了一种形成半导体器件（100）的方法。该方法包括在SiC半导体主体（102）中形成第一导电类型的掺杂区（118）。形成掺杂区（118）包括通过至少一个离子注入过程（I2t，I2nt）将第一导电类型的掺杂剂引入到SiC半导体主体（102）中。形成掺杂区（118）进一步包括通过至少一个等离子体掺杂过程（104）将第一导电类型的掺杂剂引入到SiC半导体主体（102）中。由至少一个离子注入过程（I2t，I2nt）所引入的掺杂剂的渗透深度大于由至少一个等离子体掺杂过程（104）所引入的掺杂剂的渗透深度。该方法进一步包括在掺杂区（118）的接触表面部分上形成接触材料（129），其中接触表面部分包括通过至少等离子体掺杂过程（104）所引入的掺杂剂。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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