国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“包括等离子体掺杂过程的形成半导体器件的方法”的专利,公开号CN121215513A,申请日期为2025年6月。
专利摘要显示,提出了一种形成半导体器件(100)的方法。该方法包括在SiC半导体主体(102)中形成第一导电类型的掺杂区(118)。形成掺杂区(118)包括通过至少一个离子注入过程(I2t,I2nt)将第一导电类型的掺杂剂引入到SiC半导体主体(102)中。形成掺杂区(118)进一步包括通过至少一个等离子体掺杂过程(104)将第一导电类型的掺杂剂引入到SiC半导体主体(102)中。由至少一个离子注入过程(I2t,I2nt)所引入的掺杂剂的渗透深度大于由至少一个等离子体掺杂过程(104)所引入的掺杂剂的渗透深度。该方法进一步包括在掺杂区(118)的接触表面部分上形成接触材料(129),其中接触表面部分包括通过至少等离子体掺杂过程(104)所引入的掺杂剂。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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