全球2nm芯片发布，我们与全球顶尖水平，还落后3代？

2025年底，三星终于亮出了全球首颗2nm芯片。

这颗芯片就是三星自己的猎户座手机Soc Exynos2600，它采用三星自己的GAAFET 2nm技术制造，并且已经是第二代GAA技术了。

按照三星的说法，这颗芯片采用10核设计，虽然这些CPU的主频并不高，但性能涨了39%，同时在采用了HPB技术（Heat Pass Block）后，温效降低了16%。

当然，目前其它参数还差不清楚，比如晶体管密度等等。

但不管怎么样，三星的这颗芯片，意味着全球芯片工艺，正式进入了2nm时代。

而这也意味着，我们与国际顶尖的芯片制造工艺，又多落后了一代了，差距又稍微的拉大了一点点。

不是我要长他人志气，灭自己人威风，这确实是实情。

目前国内达到了芯片制造工艺，还是等效7nm水平，以前三星、台积电们的工艺是3nm，那么中间只相差一个5nm工艺，也就是两代。

如今三星到达2nm，台积电也很快就要到达2nm，那么中间就相差了5nm、3nm，算是落后三代了。

很多人可能会说，我们很快就会追上的，浸润式光刻机也能够制造5nm芯片。

但是，大家要清楚的是，没有EUV光刻机，其实是非常难制造7nm以下芯片的，理论上浸润式DUV是能够制造5nm，甚至3nm的芯片。

但要经过更多重的曝光之后，先不说技术上究竟能不能真正实现，因为还从来没有厂商，用浸润式DUV光刻机去制造5nm芯片，台积电当年也只拿浸润式制造7nm，后来就换成了EUV。

就算我们技术上实现了，其良率是大打折扣的，良率就直接影响到芯片的成本、制造效率等。

所以啊，最终的落脚点，还是要有EUV光刻机，不管是买，还是自己造。

而买是不可能的，ASML之前就表示称，卖给中国的光刻机，实际上只相当于2013、2014年卖给西方的光刻机，是落后10年以上的，连最先进的浸润式DUV都不给，别说EUV了。

所以我们只有自己造，但要制造EUV光刻机，又要迈过很多的坎，比如EUV光源，比如物镜系统等等，这些供应链全部被ASML绑定在战车上了。

但是不管再难，我们也要先制造出自己的EUV光刻机来，否则与三星、台积电等的芯片制造技术差距，可能就会越来越大了，这是我们无法接受的。