北京
国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“形成半导体结构的方法”的专利，公开号CN121218674A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本公开提出了一种形成半导体结构的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：位于衬底上的鳍片，位于鳍片的侧面的隔离区，横跨鳍片且位于隔离区上的伪栅，以及位于伪栅上的硬掩模层，伪栅包括被硬掩模层覆盖的第一部分和未被硬掩模层覆盖的第二部分；对衬底结构施加含氧的等离子体，以使得第二部分至少被部分氧化以形成氧化层；在形成氧化层后，形成覆盖衬底结构的阻挡层；执行刻蚀工艺，以去除阻挡层覆盖氧化层的部分，并保留阻挡层覆盖硬掩模层的部分和阻挡层覆盖第一部分的侧壁的至少部分；在刻蚀工艺后，执行去除工艺以去除氧化层；以及在去除氧化层后，去除阻挡层的剩余部分。
天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可215个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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