北京
国家知识产权局信息显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司申请一项名为“一种硅掺氮化镓晶碇及其生长方法”的专利，公开号CN121204818A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种硅掺氮化镓晶碇及其生长方法，包括以下步骤：（1）、提供一自支撑衬底；（2）、用HVPE技术在该自支撑衬底上生长碳掺氮化镓；（3）、将生长的碳掺氮化镓进行处理；（4）、利用HVPE技术在碳掺氮化镓衬底上生长厚度达到5mm以上的硅掺氮化镓晶碇。本发明的有益效果是先用自支撑衬底进行异质生长碳掺氮化镓，碳掺氮化镓位错密度低，晶体质量更高，再利用碳掺氮化镓做籽晶进行同质生长，从而提高硅掺氮化镓晶碇质量。硅掺氮化镓晶碇位错密度为10E+5量级，处于较高的水平。
天眼查资料显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司，成立于2017年，位于铜陵市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本42000万人民币。通过天眼查大数据分析，镓特半导体科技（铜陵）有限公司参与招投标项目13次，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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