中国女博士封神，5万亿英伟达被她卡脖子，改写全球AI规则

美国为了限制中国芯片产业的发展，可是围追堵截了很多年，结果当市值5万亿美元的全球AI芯片巨头英伟达在算力升级道路上遭遇关键瓶颈时，最后竟然求到了一家中国企业头上。

更难以置信的是，这家企业的女创始人不但“拯救”了英伟达，更是改写了全球AI规则。那么，她是谁？又是如何做到的？

AI爆发催生核心材料革命

ChatGPT等生成式AI的爆发式发展，推动全球算力需求进入指数级增长阶段。

作为全球AI算力的核心供应商，英伟达的GPU芯片性能持续迭代，从A100到H100再到H200，算力密度不断提升，但配套供电系统的短板却日益凸显，成为制约算力释放的关键瓶颈。

传统硅基供电芯片在高负荷运行状态下，存在能量损耗大、散热效率低、体积庞大等固有缺陷，难以匹配高端GPU的高效运行需求。

在大型AI数据中心场景中，这一问题更为突出。

单台AI服务器搭载的多颗GPU芯片在满负荷运算时，供电转换环节的能量损耗占比可达30%以上，大量电能被转化为热能，不仅推高了数据中心的运营成本，还需额外投入巨额资金建设冷却系统。

数据显示，采用传统供电方案的超大型AI数据中心，年均电费支出占总运营成本的45%，而散热不及时导致的设备故障，更是会造成每小时数十万美元的经济损失。

行业普遍意识到，要实现算力的进一步突破，必须在供电核心材料上完成技术革新。

氮化镓作为第三代半导体材料，凭借耐高温、耐高压、开关频率高、能量损耗低的特性，成为解决这一产业痛点的最优方案。

与传统硅基材料相比，氮化镓芯片的开关频率可达硅基芯片的10倍以上，能量损耗可降低30%以上，同时体积能缩减一半，可完美适配高端GPU的高算力、低功耗需求。

但长期以来，氮化镓核心技术被欧美企业垄断，8英寸硅基氮化镓量产技术更是被业内视为难以逾越的高峰，全球仅有英飞凌、纳微半导体等少数企业掌握6英寸工艺，且产能有限。

技术攻坚之路

骆薇薇团队的研发之路始于对国内半导体产业短板的深刻洞察。

早年在海外深造期间，骆薇薇深耕第三代半导体材料领域，曾担任美国NASA首席科学家，积累了丰富的研发经验。

2015年前后，她注意到国内氮化镓产业几乎处于空白状态，核心技术和生产设备均被国外封锁，中国企业在这一新兴赛道完全被动。

为推动技术国产化，骆薇薇毅然放弃海外优渥的生活条件，回国启动创业项目，聚焦8英寸硅基氮化镓技术的研发与量产。

创业初期，团队面临的是近乎空白的产业基础。缺乏成熟的技术参考、专业研发人才稀缺、核心生产设备难以获取，这些难题成为横在研发路上的一道道鸿沟。

为突破困境，骆薇薇团队做出了两个关键决策：一是放弃行业主流的设计与制造分离模式，采用从芯片设计、制造到封装测试全流程自主掌控的IDM模式，确保技术主动权和定价权牢牢掌握在自己手中；二是跳过业内普遍采用的6英寸工艺，直接攻坚难度呈指数级增长的8英寸硅基氮化镓技术，因为更大尺寸的晶圆能够有效分摊生产成本，同时提升芯片性能上限。

在资金与资源支持上，项目获得了国家集成电路产业基金20亿元的重点扶持，为技术研发和产能建设提供了关键保障。

为解决设备短缺问题，团队从二手市场淘来旧机器，通过拆解改造适配研发需求；面对年轻工程师缺乏实战经验的现状，骆薇薇每天泡在生产车间，手把手指导参数调试，常常工作到凌晨。

遇到技术瓶颈时，整个团队连续数月扎根实验室，反复试验优化方案。

2017年，团队将公司总部迁至苏州，依托长三角完备的产业链加速推进产能建设，仅用不到6年时间就实现了8英寸硅基氮化镓晶圆的大规模量产，这一技术跨越被业界普遍认为需要至少10年时间。

2024年底，骆薇薇创办的英诺赛科在港交所上市，成为“中国氮化镓半导体第一股”，市值迅速突破700亿港元。

截至2025年7月，公司芯片出货量已超过10亿颗，仅2024年一年就出货6.6亿颗，相当于前三年总和。

全球氮化镓功率半导体市场，英诺赛科以42.4%的市占率位居榜首，远超纳微半导体、EPC、英飞凌等国际巨头，彻底打破了国外企业的长期垄断。

值得一提的是，2023年美国氮化镓巨头EPC公司曾发起专利诉讼，试图遏制中国企业的崛起，英诺赛科凭借积累的700多项自主专利从容应对，最终赢得诉讼胜利，这也是中国芯片企业在国际专利战中少有的全面胜利。

重构全球AI规则

骆薇薇团队研发的氮化镓芯片与英伟达的深度绑定，源于AI产业发展的刚性需求。

英伟达推出800伏架构后，急需高效稳定的电源解决方案来匹配其高端GPU的算力输出，骆薇薇团队研发的氮化镓电源方案恰好完美适配这一架构，成为该架构中唯一来自中国的核心芯片供应商。

应用这一方案后，单台AI服务器每年节省的电量足以满足普通家庭两年的使用需求，不仅显著降低了数据中心的运营成本，更让GPU的算力得以稳定释放，双方由此形成了相互依存的协同关系。

这一合作关系的形成，悄然改写了全球AI硬件生态的底层规则。

过去行业聚焦于CPU、GPU等核心算力芯片的性能比拼，却忽略了供电环节这一基础支撑的重要性，而骆薇薇团队的研发证明，基础组件的技术革新同样能决定产业发展上限。

随着氮化镓技术在AI领域的广泛应用，全球半导体行业开始重新审视基础材料与核心算力芯片的协同发展关系，相关技术标准和产业布局均出现调整。

同时，全球AI芯片市场的政策环境也在发生变化。2025年12月，美国宣布允许英伟达向中国“经批准的客户”出售H200人工智能芯片，但附加了25%收入上缴政府的苛刻条件。

这一政策转折被业内解读为技术代差管控和经济利益收割的双重算计，而中国在氮化镓等关键细分领域的技术突破，无疑为国内AI产业发展增添了重要筹码。

除了AI领域，骆薇薇团队研发的氮化镓芯片已广泛应用于消费电子和新能源汽车等场景，手机快充、迷你充电器中能看到它的身影，比亚迪、蔚来等车企的车载激光雷达、车载充电器也采用了其车规级氮化镓芯片，宁德时代创始人曾毓群更是主动投资2亿元，彰显了市场对其技术实力的认可。

结语

当前，国内氮化镓产业仍在持续进阶，汉骅半导体等企业也在2025年11月宣布实现8英寸硅基GaN MicroLED外延及多层堆叠技术的量产，推动氮化镓在更多场景的应用落地。

随着AI、5G/6G、卫星通信等产业的持续发展，氮化镓芯片的市场需求将进一步爆发，而中国企业在这一领域积累的技术优势和产能基础，将持续影响全球半导体产业的发展格局。