河北
分享至
来源：市场资讯
（来源：SEMI）
据日媒报道，铠侠（Kioxia）将在2026年开始生产332层的第10代NAND Flash，抢占AI数据中心需求。
报道称，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂的第二晶圆厂（K2）开始生产新一代NAND Flash产品，目标抢攻AI数据中心需求。铠侠将生产的产品为被称为BiCS10 3D NAND 闪存，其存储单元（Memory Cell）的堆叠数从目前第8代的218层将增加至332层，每单位面积的储存容量提升59%、数据传输速度改善33%、能耗也有所降低。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
