北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于半导体制造处理腔室的高生产量等离子体盖”的专利，公开号CN121079754A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，描述了半导体制造处理腔室，其具有在支撑环及喷头之间的RF隔离器、和/或在喷头及气体漏斗之间的RF垫圈。帽插件具有围绕帽插件的帽外壳，所述帽插件在气体漏斗上，且RF馈送件与喷头接触。可包括基板支撑件且基板支撑件可具有引导穿过基板支撑件的RF返回路径。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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