北京
国家知识产权局信息显示，广西飓芯科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体激光器芯片及制造方法”的专利，公开号CN 121055146 A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本发明涉及激光器技术领域，公开了一种半导体激光器芯片及制造方法。该半导体激光器芯片包括单元芯片，所述单元芯片自下而上为衬底、应力块和激光器芯片结构层，所述激光器芯片结构层包括两个改善区域和一个常规区域，且常规区域位于两个改善区域的中部，两个所述改善区域的禁带宽度均大于常规区域的禁带宽度，所述应力块位于改善区域的两侧。该半导体激光器芯片利用应力块材料与衬底和外延层材料的热膨胀系数差，使得外延层材料在降温后受到压应力，改善区域的禁带宽度会比常规区域的禁带宽度大，从而降低激光器窗口区对光的吸收和产生的热能，以及提供光吸收后受热后禁带宽度降低的冗余量，提高激光器的COD阈值，提高激光器的性能和寿命。
天眼查资料显示，广西飓芯科技有限责任公司，成立于2020年，位于柳州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本10300万人民币。通过天眼查大数据分析，广西飓芯科技有限责任公司参与招投标项目10次，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可19个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
