北京
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国家知识产权局信息显示，贵州电网有限责任公司、清华大学申请一项名为“一种基于隧道结磁阻的电流传感器结构及制作方法”的专利，公开号CN121049558A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于隧道结磁阻的电流传感器结构及制作方法，包括第一阵列组和第二阵列组，由沿同一传感方向排布的第一隧道结磁阻阵列单元和第二隧道结磁阻阵列单元以及第一电极单元和第二电极单元构成；所述第一阵列组和第二阵列组的灵敏轴方向互为反向，且第二阵列组在物理空间上相对于第一阵列组旋转180°后通过金属电极交叉连接。本发明有益效果为本隧道结磁阻传感器包含了第一阵列组和第二阵列组，第一阵列组和第二阵列组中的第一隧道结磁阻阵列单元和第二隧道结磁阻阵列单元又分别包含8个阵列，具有更高的物理可靠性和稳定性；能够减小因磁场梯度导致的隧道结磁阻传感器的测量误差；在测量磁场和电流时，能够测量低至17nT/√Hz量级的磁场。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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