北京
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“使用经由远程外延进行碳化硅层转移的结构制造方法及碳化硅结构”的专利，公开号CN121046946A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，一种使用经由远程外延进行碳化硅(SiC)层转移的结构制造方法及碳化硅结构，该方法包括在供体晶圆的碳面上形成范德华层，在该范德华层上生长外延SiC层，并且将该外延SiC层晶圆键合到支撑基板晶圆。该支撑基板晶圆由多晶SiC制成。该方法还包括将该外延SiC层与该范德华层分离，以生成最终结构，该最终结构包括在该支撑基板晶圆的该多晶SiC上的该外延SiC层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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