联电的突围之道

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国内晶圆代工厂近年大举扩充产能，成熟制程陷入红海，仅靠比价竞争难以为继，面对红潮来势汹汹，联电正加速转型，以既有特殊制程能力为基础，积极跨足硅光子、先进封装等高附加价值应用，开辟新蓝海。

联电持续强化多元布局，先进封装捷报频传，自行研发的高阶中介层（Interposer）已获高通的电性验证，并已进入试产流程，预估最快2026年首季量产。

供应链透露，联电首批中介层电容密度达1500nF／mm²，技术水准属于高阶封装主流，高通更直接采购炉管机台放入联电厂房，显示双方合作深度与信任度非比寻常，涵盖AI PC、智能汽车与AI伺服器等三大市场，强化联电在高速运算领域的地位。

联电同步扩大海外封装布局，新加坡厂已投入2.5D制程，并具备Wafer-to-Wafer技术，是3D IC制造关键能力。联电强调，未来将以完整方案为策略，不仅提供晶圆制程，也整合封装平台，打造属于联电的先进封装生态系，并结合智原、硅统、华邦等转投资伙伴，提高系统性竞争力。

据悉，联电在新加坡投入的2.5D封装制程，具备晶圆对晶圆键合技术，这是一种将两片晶圆以原子级方式键结的先进封装制程技术。

市场传出联电有意与英特尔合作挑战6纳米制程，联电不评论市场消息，强调双方在12纳米鳍式场效电晶体（FinFET）合作将按规画，于2027年导入量产，具备AI、物联网与车用等高增长领域的应用优势。

法人认为，即便联电不跨进先进制程，该公司在硅光子与先进封装等领域多元布局，有助在成熟制程红海中开创新蓝海。

攻硅光子迈进收成期

辉达预计于下世代AI平台Rubin大量导入硅光子元件，引爆硅光子需求大开，吸引晶圆代工龙头台积电积极布局硅光子之余，联电（2303）也携手国际重量级研发机构比利时微电子研究中心（IMEC）挥军硅光子领域，将迈入收成阶段，有望明年迈入试产，2027年放量出货，大啖AI商机。

法人认为，过去联电多依赖成熟制程，成长性受限，硅光子大部分使用28纳米、22纳米等平台，反让联电具备天然优势，切入硅光子前段制程之后，将能让联电朝更高单价产品、高毛利产品线拓展，提升营运绩效。

辉达预计于下世代AI平台Rubin大量导入硅光子元件，引爆硅光子需求大开，吸引晶圆代工龙头台积电积极布局硅光子之余，联电（2303）也携手国际重量级研发机构比利时微电子研究中心（IMEC）挥军硅光子领域，将迈入收成阶段，有望明年迈入试产，2027年放量出货，大啖AI商机。

法人认为，过去联电多依赖成熟制程，成长性受限，硅光子大部分使用28纳米、22纳米等平台，反让联电具备天然优势，切入硅光子前段制程之后，将能让联电朝更高单价产品、高毛利产品线拓展，提升营运绩效。

联电强调，集团积极完善先进封装布局，硅光子也是其中一环。业界分析，IMEC是全球微电子与纳米技术研究重镇，长年与台积电、英特尔等科技巨头合作，被视为欧盟芯片法的核心支柱，其硅光子研究位居世界第一梯队，从波导、调变器到热效应管理、EDA模型均具全球领先优势。

业界分析，随着AI训练与推论的数据传输量愈来愈大，传统铜线传输已无法支撑800G、1.6T甚至更高阶网络交换器的功耗与延迟需求，硅光子成为全球数据中心更新世代的共识技术，主因硅光子技术具备功耗降低十倍以上、延迟改善十至20倍，以及传输距离与频宽同步大幅提升等优势。

据了解，辉达将在今年推出的新世代Rubin架构起，大量在AI伺服器导入硅光子及CPO技术。辉达在AI伺服器市场脚步迅速，台积电已投入硅光子相关研发，如今联电跟着投入硅光子相关领域，也将迎来收成。

联电此次携手IMEC挥军硅光子，业界分析有三大优势，首先是联电不用从零开始摸索硅光子元件设计规则，能直接取得IMEC的光子PDK、联合开发验证；其次是大幅缩短商业化量产时间，最后则是与国际大客户的技术对接更顺畅。

法人认为，联电挥军硅光子，有助进一步打入AI伺服器、数据中心等核心供应链，若2027年如期放量，联电将成为全球CPO供应链中，不可或缺的晶圆制造要角。

（来 源 ： 内容来自经济日报 ）

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