北京
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国家知识产权局信息显示，MMI半导体有限公司申请一项名为“红外线温度传感器以及红外线温度传感器的制造方法”的专利，公开号CN121026337A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种红外线温度传感器，实现温度的测定精度的提高。该红外线温度传感器(100)具备：具有环状的焊盘(10)的安装基板(20)；安装于安装基板(20)上的金属板(30)；搭载于金属板(30)上并检测红外线的传感器芯片(40)；搭载于金属板(30)上并将从传感器芯片(40)所输出的检测信号放大的电路部(50)；以及覆盖传感器芯片(40)及电路部(50)的金属罩(60)，在环状的焊盘(10)与金属板(30)之间配置有焊料(110)，焊料(110)沿着环状的焊盘(10)遍及整周地形成。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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