【简讯】英特尔确认Arrow Lake-S Refresh原生支持DDR5-7200；Tachyum发布新型TDIMM内存技术…

英特尔确认Arrow Lake-S Refresh原生支持DDR5-7200

英特尔近日正式确认，新一代的Arrow Lake-S Refresh处理器，即酷睿Ultra 200S Plus将原生支持更快的DDR5内存速度。不出意外的话，Arrow Lake-S Refresh将会在明年初的CES 2026亮相，除了核心数量增加和提高频率外，内存支持也会提升。

据Intel最新公布的数据表，Arrow Lake Refresh将原生支持高达7200MT/s的DDR5内存数据传输速率。不过这一速度是在1DPC模式下，配合CUDIMM内存实现，相较于现有Arrow Lake处理器原生支持的6400MT/s CUDIMM，提升了12.5%。至于UDIMM和CSODIMM内存，原生支持速率则保持在5600MT/s和6400MT/s不变。

这一更高的内存支持主要归功于两个方面，优化的集成内存控制器（IMC）以及在LGA 1851平台上进行的优化。

此前泄露的规格显示，酷睿Ultra 200S Plus部分型号将增加4个E核，同时频率提升100MHz，结合原生DDR5内存速度的提升，有望提供不错的性能升级。

Tachyum发布新型TDIMM内存技术

近日，Tachyum发布全新TDIMM内存技术，致力于为AI与高性能计算提供更高带宽、更大容量与更低能耗的解决方案。该技术基于Prodigy Ultimate处理器平台打造，单条TDIMM带宽可达281 GB/s，较当前主流DDR5提升5.5倍。Prodigy Ultimate处理器配备24个内存通道，系统总带宽高达6.7 TB/s，约为12通道CPU的11倍。在容量方面，TDIMM标准版本为256 GB，并可扩展至512 GB的“加高版”与1 TB的“超高版”设计；若结合TSV硅通孔技术，更可实现在单节点内高达3 PB的总内存容量。

接口设计上，TDIMM采用484pin封装与206个信号引脚，较DDR5 RDIMM的288pin与146个信号仅增加38%，数据宽度却从64位扩展至128位。Tachyum指出，TDIMM所需DRAM数量比DDR5 RDIMM减少10%，成本预计降低约10%，其物理尺寸与标准DDR5 DIMM兼容，仅需调整塑胶模具即可投产。

能耗方面，TDIMM单次激活18颗DRAM，低于DDR5 RDIMM的20颗；尽管高频信号切换导致引脚功耗上升约30%，但通过采用更新型DRAM可使其功耗回落至DDR5 RDIMM水平。

Tachyum强调，TDIMM技术无需等待DDR6标准到来即可实现带宽翻倍，未来仅需对控制器稍作修改，即可在2027年实现13.5 TB/s带宽，并于2028年进一步扩展至27 TB/s。

该公司计划将TDIMM技术完全开源，并向企业及标准组织JEDEC免费授权，以推动其低成本与规模化应用。

雷克沙发布行业首款AI Storage Core

日前，雷克沙正式发布行业首款AI Storage Core。这是一款采用PCIe总线的存储卡，以高达4TB的存储容量、高传输效能及热插拔设计，为AI终端设备提供高性能、高可靠性、高灵活性的存储解决方案，重新定义AI终端数据存储处理能力边界。

AI Storage Core的长宽尺寸分别为28.5mm和22.9mm，速度可达8GB/s（PCIe 4.0×4或PCIe 5.0×2）。依托江波龙集成封装技术，Lexar AI Storage Core具备防水防尘性能，同时具备抗震、抗辐射特性。雷克沙还打算在特定型号上引入-40℃至85℃的工业级宽温支持，以服务于自动驾驶、户外机器人等对极端环境适应能力要求更高的应用场景。

雷克沙表示，随着AI技术从云端向终端全面迁移，AI PC、智能驾驶、AI机器人等终端设备正面临前所未有的存储挑战：海量多模态数据的实时吞吐压力、AI模型对小数据块随机读写的极端性能要求、复杂环境下的可靠性要求很高，以及跨设备协作中系统与数据的迁移壁垒。传统存储介质在IO带宽、响应速度与环境适应性上已难以满足AI终端的需求，存储瓶颈已成为制约AI终端体验升级的关键因素。

机械师推出F1游戏手柄

近日，机械师推出了F1游戏手柄，该产品主打8K摇杆回报率，支持6个自定义按键以及1600mAh电池，支持六轴体感控制以及NS2远程唤醒功能。

按键布局方面，机械师 F1游戏手柄采用了对称式摇杆布局，配备了可变成TMR摇杆，摇杆分辨率为为8-12bit，共5档可调，摇杆回报率为500-8000Hz，共5档可调，摇杆力度支持40gf-100gf无级调节。手柄正面除去十字键和XYAB按键外还设计有4个菜单功能按键，手柄顶部共有6个肩键，支持微动扳机模式，扳机键支持70-90-110gf三档调节。手柄背面则设计有4个背键，其中4个背键与2个肩键支持自定义功能。震动马达方面，机械师 F1游戏手柄搭载了2个PS5手柄同款的音圈马达，支持三种震动模式以适配不同的游戏场景。

连接和兼容性方面，机械师 F1游戏手柄支持有线、2.4G以及NS蓝牙连接，兼容PC、NS2以及安卓设备，标配8K接收器，支持远程唤醒NS2。

其他方面，机械师 F1游戏手柄搭载了1500mAh电池，握把使用了TPU包胶防滑设计，手柄正面设计有灯板，支持六轴体感操控，支持PC软件调节参数。

iPhone Fold首发苹果屏下前摄技术

苹果首款折叠屏iPhone Fold预计将于2026年秋季与iPhone 18 Pro系列一同发布，这款设备有三大核心卖点。

2400万屏下前摄：据摩根大通发布的研究报告显示，iPhone Fold搭载业界首款2400万像素屏下摄像头，如果该爆料属实，表明苹果在透光率和图像清晰度方面取得了其他厂商尚未实现的大突破。

无折痕：所有迹象都表明苹果已解决了困扰大多数折叠屏手机的折痕问题，爆料称iPhone Fold将成为市场上首款无折痕的折叠屏设备。

电池：iPhone Fold将采用高密度电池，目前苹果正在测试5400-5800毫安时的电池容量，这意味着它成为有史以来电池容量最大的iPhone，超过iPhone 17 Pro Max的5088毫安时。

核心配置上，iPhone Fold将配备7.8英寸内屏，外屏为5.5英寸，支持Touch ID，不支持Face ID，共有四颗摄像头，包括外屏前摄（挖孔屏形态）、内屏前摄（采用屏下方案，真全面屏形态）、4800万后置双摄。

三星已出样24Gb GDDR7 DRAM

近日，三星官网显示，更高速率的24Gb GDDR7 DRAM已经出样，从原来的28Gbps（K4vcf325zc-sc28）提高至32Gbps（K4vcf325zc-sc32）和36Gbps（K4vcf325zc-sc36）。

据悉，三星24Gb GDDR7采用了先进的工艺节点，属于第五代10nm级DRAM制程技术，使其在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下，将存储单元密度提高了50%。与现有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。

同时，三星将原先应用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM，让GDDR7实现了能效的显著提高。其中包括了“时钟控制管理”和“双电压（VDD）设计”等方法，可以大幅降低不必要的功耗，进而实现超过30%的能效提升。为了确保在高速运行时的稳定性，三星还采用了电源门控设计，尽可能地降低电流泄漏。

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