国产DDR5重磅亮相，进入国际顶级性能梯队

国产存储芯片实现历史性突破，长鑫存储8000 Mbps DDR5产品达到国际领先水平。

11月23日，长鑫存储在第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025）上正式发布其最新DDR5产品系列，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，两项指标均达到国际领先水平。

同期展示的还有最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的LPDDR5X移动端内存。长鑫存储此次形成了一套覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的完整产品矩阵。

突破性能巅峰

在本次IC China 2025展会上，长鑫存储以“双芯共振，5力全开”为主题，展示了其在高端存储芯片领域的最新成果。

最新发布的8000 Mbps DDR5芯片较当前市场主流的6400Mbps产品速率提升25%，标志着国产存储芯片正式迈入国际顶级性能梯队。

随着处理器核心数量与AI模型规模持续增长，算力系统对内存速率的需求正大幅提升。

长鑫存储8000 Mbps DDR5产品的推出，恰好满足了这一市场需求，为全球存储市场提供了多元选择。

在内存容量方面，长鑫存储在标准16Gb颗粒之外，重点推出了24Gb大容量颗粒。

这一突破对于大规模数据中心具有显著优势——能在不占用额外物理插槽的前提下，显著提升系统的模型加载能力与多任务处理效率，满足数据中心快速扩容的刚需。

在AI驱动的算力时代，内存容量和速率同样重要。

长鑫存储的24Gb大容量颗粒将有效支持大型AI模型的训练和推理，为中国数据中心提供强有力的底层技术支持。

全场景产品矩阵

长鑫存储依托先进颗粒，推出了七大模组产品，实现从云到边缘端的全场景覆盖。

这些模组包括：覆盖数据中心和企业级服务器的RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM；适配主流台式机与PC的UDIMM；满足笔记本电脑和紧凑型设备的SODIMM；以及面向高端超频与工作站市场的CUDIMM、CSODIMM等新型时钟驱动模组。

特别值得关注的是，长鑫存储在MRDIMM等前沿领域的布局，显示其已具备支持下一代服务器平台与新型互连标准的实力。

而CUDIMM、CSODIMM模组则紧跟国际标准组织JEDEC于2024年发布的产品标准。

长鑫存储此次还同台展示了10月最新发布的LPDDR5X产品，该产品是针对移动市场旗舰产品开发的低功耗内存。

这款LPDDR5X内存最高速率可达10667Mbps，并涵盖12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多种封装解决方案。

移动端内存的同步突破，意味着长鑫存储已形成端到端的产品能力，从服务器到移动设备，均可提供高性能的国产存储解决方案。

长鑫存储市场中心负责人骆晓东表示，“当前DRAM需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来了巨大的影响，中国需要有稳定的国产DRAM产能供应”。

在全球存储市场迎来AI驱动的超级周期的背景下，长鑫存储系列高端产品的发布不仅强化了具有国际竞争力的产品线，精准契合市场对高端产品的海量需求。

骆晓东进一步强调，通过产能扩张和规模效应，可以“减少对海外厂商产能的依赖”。

这一突破对于中国在全球存储产业链中的地位提升具有战略意义。

随着数字经济的深入发展，存储芯片已成为现代信息技术的基础性核心产品。

全球存储市场正迎来AI驱动的超级周期，长鑫存储系列高端产品的发布恰逢其时。

这一突破不仅强化了国产存储芯片的国际竞争力，更将为全球存储市场提供多元选择，并拉动服务器、数据中心等产业生态升级，推动整个产业链向高附加值环节迭代。