来源:问董秘
投资者提问:
公司生产的SiC衬底材料,是否已通过下游HVDC或SST领域客户的认证?”· “SiC长晶设备在国内同类市场中占有率如何?是否有销售给主要的SiC功率器件厂商?”· “公司是否有直接或间接参与国家关于SST或新型电力系统的研发项目?
董秘回答(晶盛机电SZ300316):
尊敬的投资者,您好。碳化硅是第三代半导体材料的核心代表。导电型碳化硅材料制成的功率器件能够更好地适应高压、高温工作环境,在新能源汽车电驱系统、高压充电设施、储能及轨道交通等高压大功率场景具有极大的应用潜力。半绝缘型碳化硅则凭借低载流子浓度与优异的微波损耗特性,成为5G/6G基站射频前端器件的核心衬底材料,同时由于具备优异的光学和热学特性,在AR眼镜、散热等终端应用领域有着不可替代的优势。公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售,量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平,8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列,公司积极推进碳化硅衬底在全球的客户验证,送样客户范围大幅提升,产品验证进展顺利,并成功获取部分国际客户批量订单。同时公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线。具体进展情况请关注公司后续的公开信息。感谢您的关注。
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