美光在今年2月的MWC 2025上推出了全球首款基于G9 NAND技术的UFS 4.1/3.1移动存储解决方案,支持Zoned UFS、数据碎片整理、Pinned WriteBooster、ILT(智能延迟跟踪器)等固件功能,以满足当今旗舰智能手机所需要得高速和高容量存储的需求。
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美光宣布,将向全球客户交付基于G9 NAND技术的车用UFS 4.1闪存,作为认证样品,为下一代汽车提供快速数据访问、强大的可靠性并增强安全性。其速度可达4.2GB/s,是前代产品的两倍,将设备启动速度提高了30%,系统启动速度提高了18%。新产品可加速AI模型的数据访问,实现ADAS模型的超快速数据记录,支持感知和决策算法的改进,通过支持语音助手、个性化信息娱乐和高级安全警报等功能来丰富车内体验。
这次基于G9 NAND技术的车用UFS 4.1闪存是业内最先进的同类产品,提供高性能和大容量,专为恶劣的车辆环境而设计,不但符合AEC-Q104等严苛的汽车标准认证,而且能在-40°C至115°C的壳体温度范围内提供热保护与稳定的高性能表现。
美光表示,随着汽车行业向更高的自主性和更智能的车内体验转变,强大的高性能存储是实现下一代智能汽车的基础,而美光的车用UFS 4.1闪存提供了卓越的安全性、可靠性和性能,助力汽车行业推进智能出行并释放边缘AI潜力。
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