韩媒惊叹：中国在被美国制裁的绝境下，竟然在芯片技术上反超韩国

2025年2月23日，首尔。

一份报告被静静地放在桌上。纸页不厚，但感觉很重。

这份文件来自韩国科学技术企划评价院，评估的是国家半导体产业的现状。基准线是100%，代表世界最顶尖的水平。

报告里的数字，清晰、冷静，却又令人不安。

仅仅两年前，在相似的评估中，韩国还在多数领域保持着优势。但现在，情况变了。

报告显示，截至2024年底，四个关键领域的分数对比发生了根本性的变化。

高集成存储芯片…高性能人工智能芯片…功率半导体…新一代传感器。

在这些领域，中国的分数已经超过了韩国。

这份报告很快出现在韩联社的首页，消息迅速扩散。全球的目光，再一次聚焦到了东方。

这一切的背景，始于2018年。

那一年，美国开始对华实施芯片技术出口管制。限制一步步收紧，从最先进的EUV光刻机，到应用更广泛的DUV设备，再到高带宽存储技术…一道道门被关上。

韩国的巨头企业，三星和SK海力士，长期以来在全球存储市场占据着绝对主导地位。NAND闪存超过50%，DRAM内存接近70%。在很多人看来，外部的限制反而可能巩固它们的市场。

现实的走向出乎了所有人的预料。

在无法获得最先进EUV设备的情况下，中国工程师们选择了一条更艰难的路…他们开始深度挖掘现有DUV设备的潜力。

这就像是要求一位书法家，用一支普通的毛笔，写出和刻刀一样精细的字。

通过一种名为“自对准四重图案化”的技术，他们反复曝光、蚀刻，在硅片上雕琢出极其微小的电路。这个过程成本很高，也非常复杂，但它换来了一样东西…自主。

这不是简单的技术问题，它带动了整个产业链的重组。

我们先看高集成低阻抗存储领域。中国得分94。1%，韩国90。9%。

长江存储，这家公司在2018年时还在生产32层的3D NAND闪存。到了2022年，他们拿出了232层的产品。

2025年1月，第五代技术问世。总层数达到294层。

更关键的是结构创新。他们没有像传统方式那样把控制电路放在存储单元旁边，而是通过一种混合键合技术，将电路垂直堆叠到了存储单元的下方。

这个改变带来了直接的好处。芯片面积利用率更高，数据读写的延迟更低，速度超过了7000MB/s。

产品的良品率，也就是合格产品的比例，从早期的60%左右，提升到了90%以上。

武汉工厂的产能随之扩大，月产量达到15万片晶圆，占据了全球约8%的份额。预计到2025年第三季度，这个数字会接近10%。

这些市场份额，正是从韩国企业的出口订单中转移过来的。

这种飞跃的背后，是国产设备的支持。中微半导体的刻蚀机，能够在极小的空间里雕刻出深邃的通道，并且保证极高的均匀度。盛美上海的清洗设备，可以去除纳米级别的微小颗粒。

过去依赖进口的设备组合，如今被国产方案替代，成本降低了40%。产品的更新换代周期，也从三年缩短到了两年。

再看高性能低功耗AI芯片。中国得分88。3%，韩国84。1%。

华为的昇腾系列芯片，在保持高晶体管密度的通过动态电压调节技术，显著降低了功耗。

制造这些芯片的中芯国际，其N+2工艺通过四次甚至更多次的曝光，将线条宽度控制在了极小的范围内。良品率在2024年从40%提升到了70%。

这同样离不开配套产业的进步。国产光刻胶的迭代，以及利用人工智能进行缺陷检测的算法，都为良率的提升做出了贡献。

在封装环节，长电科技的技术让芯片散热效率提升了25%。

韩国的5纳米产线虽然成本更低，但高度依赖EUV设备，供应链显得很脆弱。而中国的方案，虽然工艺复杂，却能为国内巨大的人工智能模型训练需求，提供稳定可靠的算力支持。

功率半导体领域，差距更加明显。中国79。8%，韩国67。5%。

这个领域关系到能源的使用效率，尤其是在新能源汽车和高压输电中。

中国的碳化硅晶圆尺寸从6英寸扩大到了8英寸，这意味着单片晶圆可以切割出更多芯片，成本大幅下降。比亚迪等公司生产的MOSFET功率器件，已经广泛应用于新能源汽车的逆变器中，效率高达98%。

这一切的基础，是材料的纯度。中国企业生产的衬底材料，杂质含量比对手低了十倍。

这个领域的反超，最能体现中国在基础材料和产业化应用上的速度。

新一代高性能传感器，中国83。9%，韩国81。3%。

豪威科技的背照式CMOS图像传感器，像素尺寸做到了0。7微米，在光线昏暗的环境下，噪点更少，画面更纯净。分辨率从4200万像素提升到了1亿像素。

这得益于离子注入等工艺的精确控制。

这些高性能传感器，被大量应用于安防监控和自动驾驶汽车，产量巨大。

最后是先进封装领域，双方得分持平，均为74。2%。

中国企业已经掌握了2。5D硅中介层等关键技术，能够将多个不同功能的芯片封装在一起，实现高速数据交换。

这一切变化的根源是什么？

报告将原因指向了产业链的闭环。到2025年，中国半导体设备的国产化率预计将超过50%。北方华创的沉积设备，宇量昇的测试设备…它们正在逐步替代进口。

更重要的是，中芯国际在9月份启动了完全使用国产设备的浸没式DUV产线。

而韩国，其核心设备90%依赖进口。

人才方面，中国每年有大约7万名半导体相关专业的毕业生，是韩国的5倍。无数的实验室里，研发人员们正在夜以继日地进行技术攻关。

长江存储267层的NAND闪存已经开始规模出货，设计方案超过300层。中芯国际的国产DUV产线良率超出预期。

这份来自韩国的报告，与其说是一个终点，不如说是一个起点。

它记录了一个全球产业格局正在发生深刻变化的事实。

韩国专家在报告中坦言：“中国的速度令人瞩目”。

这场在巨大压力下展开的竞赛，源于对自主创新的坚持。它证明，外部的封锁有时并不能阻止发展，反而会激发出更强大的内生动力。

一个全新的时代，或许已经拉开了序幕。