引发关注!深国安氢气检测仪适配半导体CVD工艺监测新方案

在半导体 CVD(化学气相沉积)工艺中，氢气既是重要还原气体(如硅烷还原制备多晶硅薄膜)，又是潜在安全隐患 —— 其爆炸极限宽(4.0%-75.6%)、扩散速度快，且 CVD 工艺的低压 / 高温环境易导致氢气泄漏，传统检测仪常因 “抗干扰弱、量程适配差” 难以满足需求。近日，深国安推出的氢气检测仪适配半导体 CVD 工艺监测新方案，凭借 “高精度 + 全场景适配” 优势引发行业关注，已在多家巨头半导体等企业的12英寸晶圆产线落地应用。

半导体CVD工艺专用氢气检测仪

一、技术突破：三大核心设计破解 CVD 工艺监测痛点

针对 CVD 工艺 “低压环境数据漂移、多气体干扰误报、高温场景稳定性差” 三大痛点，SGA-501氢气检测仪新方案从传感技术、结构设计、算法优化三方面实现突破：

双传感复合监测技术：融合 “催化燃烧 + 热导式” 双传感模块，覆盖 0-100% LEL(爆炸极限监测)与 99.999%-100%(高纯氢气纯度检测)全量程。其中催化燃烧模块响应时间≤1.5 秒，可快速捕捉 CVD 腔体泄漏的微量氢气(低至 0.1% LEL);热导式模块分辨率达 0.001%，精准监测作为载气的高纯氢气纯度，确保薄膜沉积质量。

半导体CVD工艺专用氢气检测仪

全环境抗干扰设计：采用 316L 不锈钢电解抛光外壳(符合 Class 5 洁净标准)，内壁涂覆 PTFE 防腐涂层，耐受 CVD 工艺中的硅烷、氨气等腐蚀性气体侵蚀;内置温湿度补偿算法，在 - 20℃~80℃温度区间、0-95% RH 湿度环境下，检测误差≤±2% FS，彻底解决低压 CVD(LPCVD)场景的数据漂移问题。

智能联动控制算法：自主研发的 “浓度趋势预判算法” 可基于氢气浓度变化斜率，提前 30 秒预警潜在泄漏风险(如浓度以 0.5% LEL / 分钟增速上升时触发预警);支持与 CVD 设备 PLC 系统、腔体真空泵无缝联动，当氢气浓度超 5% LEL 时，自动切断气源并启动氮气吹扫，形成 “监测 - 预警 - 处置” 闭环。

半导体CVD工艺专用氢气检测仪

二、场景适配：精准覆盖 CVD 工艺全流程

SGA-501氢气检测仪新方案通过 “模块化组合 + 定制化校准”，实现 CVD 工艺从气源供应到尾气处理的全流程适配：

1. 气源端：守护高纯氢气纯度

在氢气钢瓶或管道输送环节，部署固定式热导式氢气检测仪，实时监测氢气纯度(需≥99.9995%)。当纯度低于阈值时，立即切换至备用气源，避免因氢气纯度不足导致薄膜出现针孔、色差等缺陷 —— 在多晶硅薄膜沉积中，氢气纯度每下降 0.001%，薄膜电阻率偏差可能增加 5%，该方案可将纯度波动控制在 0.0005% 以内。

2. CVD 腔体周边：防控泄漏风险

腔体法兰、阀门等易泄漏部位，安装壁挂式双传感氢气检测仪，0-100% LEL 量程实时监测泄漏情况。设备采用 “延长线探头” 设计，探头可深入腔体密封缝隙处，距离泄漏点≤30cm，确保微量泄漏(如 0.5% LEL)不被遗漏;同时配备声光报警器(音量≥95dB，红色 LED 闪烁)，高噪音车间还支持振动报警，确保操作人员及时察觉。

半导体CVD工艺专用氢气检测仪

3. 尾气处理区：保障排放安全

CVD 工艺尾气中氢气与其他气体混合后，需通过管道式氢气检测仪监测浓度(0-50% LEL)。当浓度超 10% LEL 时，自动启动尾气燃烧装置，避免直接排放引发安全风险;检测仪还可联动排风机，根据氢气浓度动态调节排风速度，平衡安全与能耗。

半导体CVD工艺专用氢气检测仪

三、行业价值：助力半导体 CVD 工艺提质增效

相较于传统氢气检测仪，新方案的落地应用为半导体企业带来三重价值：

提升生产安全性：通过快速响应与提前预警，将 CVD 工艺氢气泄漏的处置时间缩短至 30 秒内，泄漏事故发生率降低 80% 以上，符合 SEMI S8 安全标准;

保障薄膜质量：高纯氢气纯度监测精度提升至 0.001%，可减少因气源纯度问题导致的晶圆报废率，在 12 英寸晶圆产线中，单条产线每年可节省成本超 200 万元;

降低运维成本：设备平均无故障运行时间(MTBF)达 8000 小时，传感器寿命延长至 2 年，较传统设备运维频率降低 50%，同时支持远程校准(通过 4G/LoRa 传输)，无需停机即可完成维护。

半导体CVD工艺专用氢气检测仪

目前，深国安该方案已通过 SGS、CNAS 等权威认证，适配 3nm-90nm 不同制程的 CVD 工艺。未来，深国安还将结合 AI 算法优化，进一步实现氢气浓度与 CVD 工艺参数的智能匹配，为半导体产业高质量发展筑牢安全防线。