垂直GaN，迎来新玩家

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来 源： 内容 编译自 siliconangle 。

Vertical Semiconductor Inc.今天完成 1100 万美元种子轮融资后，希望能够解决人工智能数据中心的电力输送瓶颈问题。

此轮融资由 Playground Global 领投，Jimco Technology Ventures、Milemark-Capital 和 Shin-etsu 等公司跟投。这家名为 Vertical 的初创公司是从麻省理工学院 Palacios Group 分拆出来的，Palacios Group 是一家专注于开发氮化镓晶体管（可替代硅基芯片）的研究实验室。

GaN晶体管效率高，开关速度更快，并且能够在比传统硅晶体管更高的温度和电压下工作。这使得它们在电力电子、电动汽车和电信等应用领域非常有用。

虽然标准的GaN晶体管已经存在，但“垂直”技术颠覆了这一概念，设计出基于GaN的芯片，其中晶体管垂直堆叠而非横向堆叠。通过这种方式，可以将更多晶体管塞进一个芯片，并支持更高的电压。这种设计允许电流流过晶体管的更多部分，从而提升其性能。

垂直氮化镓晶体管凭借其卓越的热管理能力，支持更高的密度。与横向设计相比，垂直结构能够实现更好的散热，同时，它还能更有效地应对电涌，利用一种名为“雪崩”的自我保护机制，帮助晶体管在电压尖峰期间继续工作。

联合创始人兼首席执行官 Cynthia Liao 认为，垂直氮化镓晶体管正是 AI 数据中心所需要的，由于电力输送瓶颈，这些数据中心一直面临压力。简而言之，现有的芯片设计无法提供足够的功率来维持更先进的 AI 工作负载，而这正是该公司希望提供帮助的地方。

“人工智能的发展速度不仅仅受限于算法，”廖说道，“人工智能硬件最大的瓶颈在于我们向芯片供电的速度。我们不仅要提高效率，还要通过大规模改写数据中心的电力输送方式来推动下一波创新。”

廖表示，该公司的垂直氮化镓 (GaN) 技术将能量转换推向更靠近芯片的位置，使其能够以更少的能量和热量进行更多计算。它们可以减少能量损失和因电涌导致的突然关机，同时使数据中心的运行温度更低。因此，它们可以将数据中心的效率提高高达 30%，同时将功耗降低一半。

Vertical 已经使用标准互补金属氧化物半导体制造方法在八英寸晶圆上展示了其技术，并表示这证明其技术可以无缝集成到现有的数据中心。

Playground Global 的 Matt Hershenson 表示，Vertical 破解了困扰半导体行业多年的难题。“（这个难题）在于如何提供高压、高效的电力电子器件，并实现可扩展、可制造的解决方案？”他说道，“Vertical 不仅推动了科学进步，还改变了计算的经济性。”

Vertical 表示，其垂直 GaN 晶体管原型已在开发中，本轮融资将帮助其在今年年底前开始为早期客户提供封装器件样品。如果一切顺利，该公司将在 2026 年底前推出完全集成的解决方案。

https://siliconangle.com/2025/10/15/mit-spinoff-vertical-semiconductor-gets-11m-build-power-efficient-ai-chips/

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