铠侠：兼顾盈利与技术领先，以新一代存储方案赋能AI时代

9月25日，第四届GMIF2025创新峰会在深圳湾万丽酒店盛大召开。本届峰会围绕“AI应用，创新赋能”主题，聚焦存算技术趋势、AI应用落地与产业链协同三大方向，汇聚全球存储与AI产业精英，共探AI时代下存储技术的演进与生态共建。

作为存储领域的重要参与者，铠侠在峰会上展出了基于BiCS FLASH™技术的全场景产品，其中包括245.76TB超大容量企业级SSD。峰会期间，铠侠就当前核心战略、新一代存储技术、产品线布局及未来技术研发等关键问题接受了集微网专访。

核心战略：以技术、规模与合作驱动增长，兼顾盈利与财务健康

在经历一段时期的行业波动和财务重组后，铠侠的核心战略备受关注。对此，铠侠表示，当前AI应用普及正推动闪存市场需求不断扩大，铠侠将持续以技术实力、生产规模以及与客户或供应链的合作伙伴关系作为增长引擎，提供支持数据运用技术创新的存储技术和全新解决方案，在信息基础设施中发挥核心作用。

技术方面，铠侠BiCS Flash始终保持领先地位，BiCS 8 TLC和QLC在业内广受好评，为AI专用SSD等产品赋予更强竞争力，可满足“高性能”“大容量”“低功耗”等多样化存储需求，而更为先进的BiCS 9和BiCS 10产品也已蓄势待发。

财务与投资层面，铠侠将依照规定进行设备投资和战略性资源分配，稳步提升盈利能力。具体而言，会将设备投资控制在销售额的20％以下，并根据市场动向合理配置资源，同时全力改善财务状况，实现健康稳健发展。

新一代BiCS FLASH技术：双轨并行，性能与容量双突破

今年2月，铠侠与闪迪联合发布下一代3D闪存技术，7月又宣布采用第9代BiCS FLASH 3D闪存技术的512Gb TLC产品启动样品出货，并计划于2026年量产。

谈及这两款产品的技术优势与应用领域，以及第9代产品快速跟进和量产的意义，铠侠介绍，BiCS 9沿用BiCS 8先进的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术，将现有存储单元技术与最新CMOS逻辑电路结合，在兼顾投资成本的同时实现更高性能；BiCS 10同样运用先进CBA技术，通过增加存储单元堆叠层数，进一步提升容量与性能。

从产品定位来看，BiCS 9针对低容量和中容量产品设计，以追求高效能为目标，适用于企业级SSD等产品，能最大限度提升AI系统中GPU调用数据的效率。此前送样的BiCS 9 512Gb产品，采用120层堆叠存储单元，结合CBA技术，不仅性能出色，还能在现有生产设备上实现良好投资效率。

该512Gb TLC产品基于第五代BiCS FLASH技术的120层堆叠工艺与先进CMOS技术开发，相较铠侠现有同容量BiCS FLASH产品，性能实现显著提升：写入性能提升61%、读取性能提升12%；能效方面，写入操作能效提升36%，读取操作能效提升27%；数据传输上，支持Toggle DDR6.0接口，NAND接口传输速率高达3.6Gb/s，演示条件下更是可达4.8Gb/s；同时，借助先进横向缩放，位密度进一步提升8%。

而BiCS 10则聚焦未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。为应对尖端应用市场多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将推行“双轨并行”策略：一方面，以第九代BiCS FLASH产品通过技术融合降本提效；另一方面，以第十代BiCS FLASH产品通过增加堆叠层数突破容量与性能上限。

第九代产品的快速推进，对铠侠意义重大。它不仅能为中低容量存储市场提供卓越性能与能效的解决方案，还将集成到企业级固态硬盘中，尤其适配需要提升AI系统GPU性能的应用，助力铠侠在AI存储领域抢占先机。

产品线布局：全面覆盖多领域，深耕中国市场，强化AI存储解决方案

铠侠拥有从消费级到企业级的广泛产品线，关于未来资源分配方向及中国市场战略地位，铠侠明确表示，将继续加强全产品线布局，同时深耕中国市场，重点发力AI相关存储领域。

当前，AI推理系统对高性能、大容量SSD需求迫切，与此同时，智能手机和AI PC的存储容量需求也在迅猛增长。基于这一市场趋势，铠侠将持续推进智能手机存储、消费端SSD以及企业级与数据中心级SSD的研发，不会偏废任一领域。

针对AI系统，铠侠已加强SSD产品研发，推出助力GPU性能发挥的CM9系列，以及适用于大规模数据中心、容量高达245.76TB的LC9系列。此外，还专为AI研发全新大容量、高带宽闪存模块，该模块拥有5TB容量和64GB/s带宽，未来将为GPU的AI加速提供更多存储解决方案。

在市场战略中，中国市场占据重要地位。作为全球重要的消费电子与AI产业市场，中国在智能手机、AI PC、数据中心等领域的需求旺盛，铠侠将持续关注中国市场动态，通过丰富的产品与技术方案，满足中国市场多样化需求，深化与中国客户及合作伙伴的合作，共同推动AI时代存储产业发展。

未来技术研发：多维度升级3D闪存，探索下一代存储技术

随着3D NAND微缩逐渐面临物理和经济学极限，PLC、铁电存储器（FeFET）等下一代技术的发展潜力与挑战成为行业焦点。铠侠透露，公司采取多项技术并行升级的策略，既致力于优化现有3D闪存技术，也在积极探索下一代存储技术。

在现有3D闪存产品开发上，铠侠主要从四个维度实现突破：一是提升存储单元堆叠层数，进一步增加容量；二是研发更密集的横向微缩技术，提高存储密度；三是应用更高效的CBA技术，平衡成本与性能；四是推进每个存储单元存储信息的多值化技术，提升单位面积存储效率，通过这四大维度，打造大容量、具有成本竞争力的3D闪存产品。

与此同时，针对未来计算和未来存储需求，铠侠也在积极研发全新理念的半导体存储器，例如基于氧化物半导体的DRAM（OCTRAM）和MRAM等，目前相关研发工作正在有序推进中，未来有望为存储行业带来新的技术变革。

结语

在AI浪潮席卷全球、存储需求持续攀升的背景下，铠侠通过此次GMIF2025峰会清晰地传递了其战略路径：以领先的BiCS FLASH™技术为基石，通过“双轨并行”的产品策略和全面的市场布局，在巩固企业级存储市场优势的同时，积极拥抱消费电子与数据中心的新机遇。

面对未来，铠侠既着眼于现有3D闪存技术的精进，也前瞻性地布局下一代存储技术，展现出其作为存储行业领导者的技术深度与战略远见。在AI驱动的新时代，铠侠正稳步推进其技术、产品与财务的健康协同发展，致力于为全球，尤其是中国市场的数字化未来，构建坚实可靠的存储基石。