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案例:华东某晶圆制造厂高浓度有机废水处理项目
项目背景
该厂主要生产8英寸半导体晶圆,日均产生废水150吨,其中有机废水占比40%。废水含有光刻胶、显影液残留物及CMP研磨废液等复杂成分,COD浓度高达8000-12000mg/L,且含有微量重金属。
废水主要成分及来源
光刻工艺废水
:含丙烯酸酯类光刻胶、PGMEA(丙二醇甲醚醋酸酯)溶剂
显影废水
:四甲基氢氧化铵(TMAH)含量约500mg/L
CMP废水
:硅颗粒(粒径0.1-1μm)及有机分散剂
清洗废水
:异丙醇(IPA)、丙酮等有机溶剂
处理工艺流程
采用"物化预处理+生化强化+深度处理"组合工艺:
调节池
:水质水量均衡,pH调节至7-
高级氧化单元
:采用Fenton试剂(H2O2/Fe2+)氧化分解难降解有机物,COD去除率45%
混凝沉淀
:投加PAC(200mg/L)+PAM(0.5mg/L)去除胶体物质
UASB厌氧反应器
:HRT=24h,温度35±2℃,COD负荷6kg/(m³·d)
MBR膜生物反应器
:PVDF中空纤维膜(孔径0.1μm),污泥浓度维持8-10g/L
活性炭吸附
:作为保障单元,处理出水COD<50mg/L
最终效果
项目运行稳定后:
COD总去除率≥99.2%,出水COD稳定在45mg/L以下
TMAH完全降解,检测浓度<0.1mg/L
重金属含量均低于《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)限值
30%处理出水回用于厂区冷却塔补水
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