三步走冲顶亚10nm！俄罗斯公布EUV光刻机路线图！

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9月28日消息，俄罗斯科学院微结构物理研究所制定了一套国产极紫外（EUV）光刻设备的长期路线图，该设备工作波长为 11.2 纳米，扩展了该机构去年 12 月披露的信息。

新项目从 2026 年启动，初期采用 40nm 制造技术，计划延续至 2037 年，最终集成亚 10nm 制造工艺。这份最新路线图相比此前方案显得更具现实感，但其可执行性仍需验证。此外，即便方案可行，其商业化应用前景也尚不明确。

首先值得关注的是，该 EUV 系统方案并未复制 ASML 设备的架构，而是采用了一套完全不同的技术体系：混合固态激光器、基于氙等离子体的光源，以及由钌和铍（Ru/Be）制成的 11.2nm 波长反射镜。与 ASML 设备使用锡液滴不同，氙气光源的选择避免了损伤光掩模的碎屑产生，大幅降低了维护需求。同时，相较于 ASML 的深紫外（DUV）设备，该方案通过简化设计规避了先进制程所需的高压浸没液和多重图形化步骤。

路线图包含三个主要发展阶段：

第一阶段（2026-2028 年）：目标为支持 40nm 工艺的光刻机，配备双反射镜物镜系统，套刻精度达 10nm，曝光场最大 3×3 毫米，每小时吞吐量超 5 片晶圆。

第二阶段（2029-2032 年）：推出支持 28nm（可向下兼容 14nm）的扫描式光刻机，采用四反射镜光学系统，套刻精度提升至 5nm，曝光场 26×0.5 毫米，每小时吞吐量超 50 片晶圆。

第三阶段（2033-2036 年）：面向亚 10nm 制程，搭载六反射镜配置，套刻精度达 2nm，曝光场最大 26×2 毫米，每小时吞吐量超 100 片晶圆。

在分辨率方面，这些设备预计可覆盖 65nm 至 9nm 的制程需求，适配 2025-2027 年主流关键层工艺。每代设备均提升光学精度与扫描效率，且单位成本结构有望显著低于 ASML 的 Twinscan NXE 和 EXE 平台。

值得注意的是，研发团队声称使用EUV用于后沿节点带来了几个意外的好处，但未提及 11.2nm 波长激光带来的复杂性 —— 包括特殊反射镜、镜面抛光工具、光学系统、光源设计、电源单元及光刻胶等，而该波长并非 EUV 光刻的行业标准。

总体而言，该路线图勾勒出俄罗斯试图通过技术绕开传统 EUV 限制、实现芯片自主生产的规划。但方案的可执行性存疑，因其技术跨越幅度较大，尚未经过行业验证。

这些设备并非面向超大规模晶圆厂的极限产能，而是旨在为小型代工厂提供高性价比解决方案。通过提供无需浸没技术或锡基等离子体的清洁、高效、可扩展光刻系统，俄罗斯的技术平台可能吸引被 ASML 生态排除在外的国际客户。若能完全落地，该项目将以显著更低的资本与运营成本，实现先进芯片的本土制造与出口供应。

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