上海
分享至
9月23日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质（Thick IMD）电容工艺。新型多层厚金属间电介质工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米。该工艺预计将用于制造数字隔离用电容器，以及电子电路中抑制电容耦合的电容器。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
