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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有通过硅锗蚀刻停止部实现的直接背面源极或漏极接触部的集成电路结构”的专利，公开号CN120529637A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，描述了具有通过硅锗蚀刻停止部实现的直接背面源极或漏极接触部的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括第一和第二多个水平堆叠的纳米线或鳍状物以及第一和第二栅极堆叠体。外延源极或漏极结构在第一多个水平堆叠的纳米线或鳍状物与第二多个水平堆叠的纳米线或鳍状物之间，外延源极或漏极结构在对应的导电背面接触部之上并且电耦合到对应的导电背面接触部，该导电背面接触部横向延伸超过外延源极或漏极结构而不接触第一栅极堆叠体或第二栅极堆叠体。
本文源自：金融界
作者：情报员
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